TOSHIBA HN4C06J User Manual
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 (PCT方式)
HN4C06J
○ 低周波増幅用
○ 低周波低雑音用
• スーパーミニ(5 端子)パッケージに 2 素子を内蔵しています。
• 高耐圧です : V
• 電流増幅率が高い。 : h
• h
リニアリティが優れています。
FE
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (標準)
• 低雑音です。 : NF = 1dB (標準)
絶対最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 PC*
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)(Q1,Q2
項目 記号 定格 単位
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよ
びディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の
上、適切な信頼性設計をお願いします。
*: トータル定格です。1 素子あたり 200mW 超えないこと。
電気的特性
(Ta = 25°C)(Q1,Q2
= 120 V (最大)
CEO
= 200~700
FE
共通
共通
CBO
CEO
EBO
C
B
j
stg
)
120 V
120 V
5 V
100 mA
20 mA
300 mW
150 °C
−55~150 °C
JEDEC ⎯
JEITA ⎯
東 芝 2-3L1A
質量: 0.014 g (標準)
)
HN4C06J
単位: mm
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE (注) VCE = 6 V, IC = 2 mA 200 ⎯ 700 ⎯
コレクタ･エミッタ間飽和電圧 V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 C
雑音指数 NF
CBO
EBO
CE (sat)
T
ob
VCB = 120 V, IE = 0 ⎯ ⎯ 0.1 μA
VEB = 5 V, IC = 0 ⎯ ⎯ 0.1 μA
IC = 10 mA, IB = 1 mA ⎯ ⎯ 0.3 V
VCE = 6 V, IC = 1 mA ⎯ 100 ⎯ MHz
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz ⎯ 3.0 ⎯ pF
= 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz,
V
CE
R
= 10 kΩ
G
⎯ 1 ⎯ dB
注: hFE分類 GR (G): 200~400, BL (L): 350~700 ( ) 内は現品表示記号
現品表示 内部接続
形名
h
FE
分
ＤG
(TOP VIEW)
Q1
4 5
Q2
12 3
1
2007-11-01
(Q1,Q2 共通)
HN4C06J
4
エミッタ接地
Ta = 25°C
3
(mA)
C
2
コレクタ電流 I
1
0
0 10 4
2
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
I
– VCE
C
30
10
9
8
7
6
5
4
3
2
IB = 1 μA
0
8 6
(pF)
ob
10
5
3
コレクタ出力容量 C
0
0
20 80
コレクタ･ベース間電圧 VCB (V)
C
– VCB
ob
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
50 40 30 10
70 60
200
160
(mA)
C
120
80
エミッタ接地
VCE = 6 V
Ta = 100°C 25 −25
コレクタ電流 I
40
0
0.2
0.4 1.0
ベース･エミッタ間電圧 VBE (V)
I
– VBE
C
0.6
1000
500
FE
300
100
50
30
Ta = 100°C
25
−25
直流電流増幅率 h
10
1 100 30 0.3
コレクタ電流 IC (mA)
0.8
h パラメータ – V
500
300
h
– IC
FE
3 10
hfe
エミッタ接地
VCE = 6 V
CE
300
0.5
0.3
(V)
0.1
0.05
CE (sat)
V
0.03
0.01
1
V
1 100 30 0.3
3 10
CE (sat)
– IC
エミッタ接地
IC/IB = 10
Ta = 100°C
25
−25
300
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
100
10
エミッタ接地
IC = 1 mA
f = 270 Hz
Ta = 25°C
hie (× kΩ)
hre (× 10
hoe (× μS)
30 1001
5
−
)
50
30
h パラメータ
10
5
3
1
0.5
3
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
2
2007-11-01
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