Page 1
1110987654321
12
D
C
3
4800-060600-00
C4
C6
B
250Vac470pF
4800-060600-00
4300-FW474D-02
R3
F1
250Vac5A
A
AC输入
1
4
6mH
4300-FW474D-02
275Vac0.47uF
L6
6mH
C1
275Vac0.47uF
V1
1 2
14D561K
2.2M
CN1
L7
250Vac470pF
BD1
KBJ6J 6A/600V
C7
TH1
13NSP05
t
123
H7224 Vcc
JP25
C25
0.1uF
C9
NC
JP64
FME-220B 150V/20A
C307
10R/0.125W
R305
R306
2.7K/0.125W
1N5822 40V/3A
C54
1000UF/16V
T3
PQ3230
1
10
D20
P2
R301
68K 2W
S2
2
P2
FME-220B 150V/20A
8
3
D19
5
470PF 500V
S1
D
7
6
C73
250Vac470pF
PC8 H11A817C
Q2
Q1
D4
R66
330
R71
PC4A
1k
C55
R69
PC817B
20k
IC8
0.1uF
TL431
L5
5.0uH
C22
1000UF 35V
C64
470PF 500V
3uH
1.5K
R78
1.5k
Q2
C63
R76
C21
1k
1000UF 25V
Q1
C61
0.1uF
IC9
TL431
DC-DC
L3
5.0uH
R72
2.2k
C59
1000UF/16V
R68
2.2k
R82
C3
4.7k
0.1uF
Q9
2SA1015
R70
Q10
4.7k
2SC1815
R97
C53
4.7k
0.1uF
24V
24V
C23
1000UF 35V
680 OHM 3W
R2
12V
5.0uH
L4
R79
1k
24V
R77
11k
C62
NC
C24
R104
R75
100K
20k
R74
2.4k
5V
R73
1k
PC7A
PC817B
Q5
2SC1815
R80
10k
24V
ZD5
27V
D18
1N4148
R64
1k
R90
C5
4.7k
0.47uF
1000UF 25V
JP33
R81
10k
H :nor mal mo de
C65
L :stand-by mode
NC
12V
ZD9
15V
D34
1N4148
CN2
24V
1
24V
2
GND
3
GND
4
12V
5
GND
6
12V
7
GND
8
5VSTB
9
GND
10
ON/OFF
11
Standby
D3
1N5408 3A/1000V
+A
2
GND1
2.2K
R1
S1
SW-PB
L2
4800-026010-7020 600UH +/-10%
R17
433M-EM105C-00
105
R32
105
C17
R16
684
R33
R11
0.22
R12
105
0.22
R15
R22
564
1
R10
474
2
3
C2
C14
C15
C13
224
224
102
102
D33
IN4007
H7224 Vcc
JP48
JP49
D27
1N4148
2SC2655
C10
R4
50V4.7uF
22k
PQ3230
105
NCP1653A
Vcontrol
In
CS4VM
450V/10uF
Q7
IC1
C11
ZD1
15V
HS1
R13
684 684
Vcc8FB
Drv
GND
R6
10 1/4W
1505-P32T30-02
JP56
C16
1kV10pF
1
JP58
FMXA-1106S 600V 10A
Q1
FMA08N60GX
PFC
R14
R9
7
4148
6
5
563
102
C12
1W /3.3
R5
1k
50V4.7uF
D2
15v
ZD8
R19
10
22
JP31
D1
4U7F 50V
C50
R8
ZD8
15V
D
D
STR-A6259H
S/OCP
FM/SS
1234
R7
Vcc
C18
102
JP54
JP30
450V/150UF
C79
1UF
IC5
C48
PFC
+392V+-10%
C52
PFC
IC301 FSQ0565R
1
R60 0
Vcc
103
R62
GND
C47
103
2SC2655
R18
100k
2
R309 0
104
ZD301
C302
C301 22UF 50V
5V1V/0.5W
0.047uF 50V
578
Vcc
FB/CC/OLP
R59
10
B
PC4B
C19
PC817B
50V/10uF
R58
Q8
10 1/4W
R57
PC7B
1k
PC817B
ZD2
16V
HS4
1505-052050-03
1
Drain
GND
Sync
Vcc3Vfb
C303
C304
C49
NC
SBYV26C 600V/1A
D13
Vstr
0.022uF 50V
50V47uF
104
C305
0.047uF 50V
D15
UF4007
C46
R302
nc
22K/0.125W
R304
6
5
R303
4
10K/0.125W
C306
EI22/19/6BK-20-12LS 2.0mH +/-10%
4
D9
P6KE200A
P2
3
P1
5
1
10
R63
D1
2
JP38
PFC
1.2nF/630V
D301
UF4007
C309
47PF 50V
T2
9
S1/S2
7
待机电路
D6
JP14
1N4007
D5
10
1N4007
VB2
3
Vcc
IC3
STR-H7224
DTC CK12 CK11 HDRV2 OUT2 LDRV2 OCP
62987
11
JP26
R23
33k
ZD7
5.1V
ZD6
5.1V
D21
1N4148
JP22
R37
R84
0
330
R36
47k
C32
0.1uF
JP20
D8
1N4148
R35
330
JP53
T1
FEI-16
4
3
P1
5
1
11
C30
1uF
10
R27
NC
R26
NC
R25
33k
PFC
JP19
Q3
500V/5A
JP16
JP17
JP23
Q2
500V/5A
R34
47k
12V
R31
22k
16V1uF
R30
33k
C67
1
3
2
ENA
Vcc
DRV1
DRV2
IC4
STR-H3435
CS
RS or SYNC
RI CT CB CF FB FB OUT OVP
8
R24
120k
C28
4.7uF
0.22uF
18
C29
C26
nc1uF
C37
129151617
C36
C27
22nF
680pF
47nF
R40
NC
C34
NC
D11
JP21
Q4
500V/5A
Q6
500V/5A
ZD4
16V
R50
120k
GNDUVLO
REG
ADIM
BURST
ALARM
PRO
C38
0.1uF
C35
104
R39
47k
R54
R89
JP51
0
330
R53
47k
C44
0.22uF 630V
JP50
R87
D10
R88
47k
330
1N4148
R86
0
R51
331
C41
0.1uF
6
7
C40
0.1uF
R48
R49
NC22K
NC
14
R47
NC
13
R45
NC22k
20
C39
NC
R44
19
0
R43
82k
R42
220k
R41
C66
33k
NC0.1uF
R38
R85
NC
4.7k
C45
6kV/10pF
D29
DAN217U/BAV99
C69
50V1000pF
T9
9
9
5
6
5
6
DAN217U/BAV99
10
10
11
11
3
4
3
4
12
12
*
R46
10k
ENA(12V)
CN3
3PIN
GND
6kV/10pF
50V1000pF
R55
INVERTER ON/O FF
JP55
C43
C68
330k
123
BRI
D22
DAN217U/BAV99
DAN217U/BAV99
D26 DAN202U/BAV70
R96
1k
C72
D25
R94
1W/39
D23
R92
1W/39
R95
0.1uF
10k
DAN202U/BAV70
D24
R93 1k
C71
R56
0.1uF
10k
C33
0.1uF
12
13
VB1
HDRV1
14
OUT1
R83
1
LDRV1
0
4
GND
5
R52
0k
JP24
R21
4
2.2k
R29
S1
10k
5
5
R28
S2
10k
R20
6
2.2k
D
CN4
1
HV+
2
CN5
1
HV-
2
C
B
A
Title
Number RevisionSize
A1
Date: 21-May-2010 Sheet of
图纸资料\液晶电源图集\168P-P37ALK
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
File: E:\
-00\G1D0-P37ALK00000-0000.DDB
Drawn By:
Page 2
一. 副电源电路：
168P-P37ALK-00
1. STR-A6259
STR-A6259
检测方式，内藏的电源
功率低，外接元件少。通常动作时
压输入下能够实现全负载领域的高效率化。
具体特点如下：
启动电路内藏，电源启动时，减轻电源
①
低功耗。
双晶片构造，
②
动作频率抖动功能内藏，简化
③
主要特点
是电源
MOS
:
管和电流模式控制电路内藏的
MOS
管保证雪崩，另外，控制IC采用了高耐压的
MOS
模式，轻负载时自动切换到间隙振荡模式，在宽电
PWM
管保证雪崩，具有高破坏耐量，可将浪涌吸收电路简化。
滤波器。
EMI
方式电源IC。采用副边电压
PWM
BCD
管的压力，没有了启动电阻的功耗，实现
MOS
工艺，消耗
通过增加两个电阻，实现定电流垂下动作。
④
待机自动间隙振荡功能内藏，
⑤
待机时，
C.
计时器内藏型。
⑥
丰富的保护功能。
⑦
绝缘封装。
DIP-8⑧
2.STR-A6259
脚：过流保护
1
脚：软启动/频率控制
2
脚：地
3
引脚功能：
Burst
模式。
无负载时，低消耗功率；
A.
通常动作时，
B.
PWM
模式；
Page 3
脚：电压反馈/定电流控制/过负载保护
4
脚：电源
5
脚、8脚：
7
3.STR-A6259
管漏极
MOS
内部框图
:
4. STR-A6259
副电源工作原理
5.
启动电路：
应用图
220V
:
:
交流电压经C1、L6、C6、C7、C4、L7、
BD1
构成的
滤波电路,再经
EMI
Page 4
D33、C11
整流滤波后得到
300V
电压，
电压经过变压器T2的4、5绕组加到
300V
IC5（STR-
）的7、8脚，启动电路在
A6259
给
Vcc（on）=14.3V
为：
Tstart=C19*（Vcc（on）-Vcc(int)）/Istartup
其中：
电源启动后，内部起动电路自动切断，启动电路不消耗能量。电源起动后5脚
变压器2、1绕组经
当低于动作停止电源电压
制电路停止，回到起动前的状态。
IC5
Tstart
的 第5脚
为启动时间；
端 子 外 电 容
VCC
后，电源开始启动。启动时间由
Vcc（int
R63、D13、R59
Vcc（off）=10V
内部和漏极（7、8脚）相连接，由IC内部产生定电流
IC5
充 电 ， 当5脚 电 压 上 升 到动 作 开 始 电 源 电 压
C19
的容量大小决定，该起动时间的计算
C19
）为
提供，如果因某种原因，控制电路动作，
端子初期电压；
VCC
后，低输入时动作禁止（
）电路动作，控
UVLO
VCC
VCC
电压由
电压下降，
振荡输出：启动电路工作，振荡器开始振荡，经驱动电路送至场效应管的控制栅极，
管开始导通，开关变压器绕组上有电流流过，整个开关电源开始工作。
MOS
脉冲开关变器T2的各级处于储能状态。当电压上升到一定幅度，
降会使
绕组续流二极管D4和滤波电容
7、9
组1、2绕组经
断后，源极对地电阻上压降为零，此时控制比较器再次翻转，振荡器开始振荡，
次导通，如此循环往复，振荡器得以维持，副电源就可以持续不断的工作。
稳压电路：当5V电压升高，
使得
内部的比较器翻转，从而使振荡器停止，
IC5
释放能量，产生5V电压给主板
C54
D13、C46
发光二极管负端电压比正常时低，同时5V电压经
PC4A
整流滤波后产生的
取样电样电压升高，
R68
VCC
电压给
管关断，此时变压器T2的次级
MOS
IC1、IC301、IC3、IC4
的输入电压加大，输出降低，
IC8
R66
管源极电流产生的压
MOS
CPU
供电。
送到
PC4A
管导通时，
MOS
供电，初级绕
MOS
MOS
的正端，此电
管关
管再
压比正常时要高，因此，
发光二极管的导通程度加深，发光亮度增强，经光电耦合，
PC4A
Page 5
使得
光敏三极管电流增大，此加大的电流直接反馈到
PC4B
的第4脚，通过内部电路，
IC5
使得
以达到稳压的作用。同理，当5V电压降低时，其控制过程与上述相反，从而使输出电压稳
定在一定范围内。
VCC（ovp）=32V
电压上升，当检测电阻R7的电压达到1脚的门槛电压
二
. PFC
2.4.2 NCP1653
管提前进入关断状态，使电源内部
MOS
保 护 电 路 ： ① 过 压 保 护 ， 当5脚
时，锁定电路动作，开关动作停止，
过流保护：当过流时，1脚
②
过热保护：当IC内部温度升到
③
端子通过外接取样电阻R7分压，电流增大，1脚
S/ocp
度时，该电路使锁定电路动作，
125
电路
主要特点
管的占空比减小，从而使输出电压降低，
MOS
电 压 雪 超 过
VCC
管被关断，开关电源停止工作。
MOS
Vocp=0.7V
时，电源
动 作 电 源 电 压
OVP
MOS
MOS
管关断。
管关断。
NCP1653
率模式并根据线圈电流控制电源开关的导通时间，该芯片的工作频率有 100KHz 和 67KHz
两种规格。工作频率固定于 100kHz，有效地减少了升压电感的体积，减小了功率
MOSFET 的电流应力，从而降低了成本，采用 DIP-8 及 SO-8 封装，它的外围元器件数量
很少，且极大地简化了 CCM 型的 PFC 的操作，它还集成了高可靠的保护功能。
具体特点如下：
： 固定频率、连续导通工作模式
①
：平均电流模式工作，很少外围器件
②
：开机软启动功能
③
：过压保护功能：当
④
是一个连续导电模式（
输出电压高于正常输出电压
PFC
）功率因素校正步升预转换器的控制器。它以固定频
CCM
时保护
107%
：欠压保护功能，当输出电压低于正常输出电压的8%时保护或停机
⑤
Page 6
：热关机：如果结温超过
⑥
：可以由设计者设定过流保护点
⑦
：可以由设计者设定过功率限制点
⑧
150℃
，内部热电路将禁用电路。
2.4.3 NCP1653
脚：FB（反馈/关断 ）
1
脚：
2
Vcontrol
脚：IN（输入电压检测 ）
3
脚：CS（过功率检测）
4
脚：Vm（乘法器电压 ）
5
脚：
6
GND
脚：
7
DRV
脚：
8
VCC
2.4.4 NCP1653
各脚功能：
控制电压/软启动
（控制电路地）
（驱动脚）
（控制端电源输入）
引脚功能说明
脚：FB反馈/关断 （该脚 正常电压范围在
1
驱动信号输出，起到过压保护作用；B：输出电压低，或
芯片关断，进入低功耗工作模式）
脚：
2
Vcontrol
动：当开机时，该脚电压慢慢升高，驱动输出的占空比可以慢慢变大，起到软启动效
果）
脚：IN输入电压检测 （当检测输入电压低于
3
出）
脚：CS过流保护检测（当该脚电流达
4
控制电压/软启动 （A.控制电压：控制输入阻抗实现功率因数校正；B.软启
200
以下，A：输出电压升高、过压，7脚没有
2.5V
开路，1脚电压变低，该
Rfb
时，电源处于欠压保护状态，无输
2.4V
微安时驱动无输出）
Page 7
脚：乘法器电压，Vm乘法器外接电阻、电容端，该端提供一个电压 VM 用于 PFC 的占空
5
比调制，PFC 输入电路的输入阻抗正比于外接于此端的电阻 RM，工作在平均电流型
时要在此处外接一个电容 CM 到地，否则，将工作在峰值电流型。
脚：
6
脚：
7
脚：
8
2.4.5 NCP1653
控制电路地
GND
驱动信号输出脚
DRV
控制端电源输入（工作电压
VCC
内部电路
8.75-18V
，启动电压
12.25-14.5V
）
NCP1653 典型应用简图如下图所示
Page 8
图 NCP1653 的典型应用电路
三. DC/DC 电路(12V/24V)
1. FSQ0565R
FSQ0565R
满足全球各地严格的能效标准、低待机功耗要求及
专有的谷底导通
拓扑相比，能够降低多达
委员会
规范。与所有的飞兆半导体绿色
降低待机功耗，并将可听噪声降至最小，这些对于满足1瓦倡议要求十分重要。
飞兆半导体专有的谷底导通工作模式可把
固有频率调制，大大降低
(CEC)
特点：
是飞兆半导体公司
(valley switching)
500mW
、欧盟行为准则
EMI
(Fairchild Semiconductor)
规范。这些功率开关采用飞兆半导体
EMI
、混合控制及固有频率调制技术，与传统的硬开关转换器
的开关损耗和
(EU Code of Conduct)
产品一样，
FPS
MOSFET
噪声。此外，通过谷底导通工作模式，这些转换器还能实现
5dB的EMI
和高能效电器组织
FSQ0565R
的漏极电压降至最低时导通，并提供
推出新款绿色
。这些开关有助于满足加州能源
具有先进的间歇工作模式，可
FPS
(GEEA)
制定的能源
产品，以
软开通，从而提高功率转换效率并同时大幅减少热量的产生。混合控制技术则让功率开关在
低交流输入电压时于
不连续电流模式) 下工作，从而避免低交流输入电压工作时效率变差。
DCM(
连续电流模式) 下工作，在高交流输入电压时于谷底导通
CCM(
Page 9
绿色
FSQ0565R
还具有出色的浪涌特性以及各种保护功能，可确保系统的可靠性。这些保
护功能包括过载保护
短路保护
这些高度集成的绿色
们能够在
2. FSQ0565
脚：内部
1
脚：地
2
脚：电源
3
脚：电压反馈
4
脚：同步检测
5
及欠压锁定
(OSP)
LCD TV、PDP TV、DVD RW
引脚功能：
管漏极
MOS
、过压保护
(OLP)
(UVLO)
器件是飞兆半导体全面广泛的绿色
FPS
等。
、异常过流保护
(OVP)
和机顶盒等应用中简化设计、提高效率和系统可靠性。
(AOCP)
FPS
、过温保护
产品系列的一部分，它
(TSD)
、输出
脚：电源启动供电
6
3.FSQ0565R
内部框图
Page 10
4.FQS0565R
应用图
四.背光电路
此电源背光电路的主芯片为
列为三垦电气公司开发的 高压驱动IC及控制芯片用于
三垦电气公司开发和推出了其新的芯片 H7224 （封装：14 引脚 SOP）的高电压驱
动集成电路和 STR - H3435（封装：20 脚 SOP ）集成电路。这两种芯片类型的组合成
为一个高效率的液晶电视用 CCFL 的直接逆变器轻松配置。
特点：
1.
STR – H7224 高压驱动芯片
内置高电压 600V 的耐压驱动程序，允许直接驱动与 PFC 电路的输入功率逆变
（1）
（2） 全桥控制较少的元器件 ，不需要保护二极管。与半桥控制相比，场效应管散热
（3） 高驱动器性能（驱动电压：最大值 16V）。
（4） 保护功能
电路，高电压驱动器。
较小，不需要散热片，场效应管可以安装躺在印刷电路板实现更薄的逆变器。
STR-H7224T STR-H3435，STR - H7224和H3425
逆变器 。
CCFL
系
① 欠压锁定为电源电压
② 过电流保护
Page 11
③过热保护
STR - H3435 控制芯片
（1）同步功能
（2）调光功能
（3）保护功能
①定时器锁定保护
②过电压保护
③ 过载检测保护
④ 错误输出保护
⑤ 欠压锁定保护
IC3（STR-H7224
STR-H7224
脚：前桥下管驱动输出信号
1
脚：
2
脚：
3
脚：地
4
脚：过流保护
5
脚：
6
脚：后桥下管驱动输出信号
7
脚：悬浮地，桥输出
8
IC4
VCC
IC4
输入
输入
）高压驱动芯片
功能引脚：
1
2
1
脚：后桥上管驱动输出信号
9
Page 12
脚：自举升压
10
脚：死区检测
11
脚：自举升压
12
脚：前桥上管驱动信号输出
13
脚：悬浮地，桥输出
14
2
STR-H7224
内部框图：
STR-H7224
应用：
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IC4（STR-H3435
）控制芯片
STR-H3435
脚：
1
脚：
2
脚：
3
脚：
4
脚：
5
脚：地
6
脚：
7
脚：RI从10脚输入的脉冲信号（用于决定芯定芯片脉冲频率）
8
脚：CF电容滤波（用于稳定芯片工作频率）
9
引脚功能：
芯片使能
ENA
UVLO
VCC
驱动信号输出
DRV1
驱动信号输出
DRV2
基准电压输出
REG
欠压锁定
1
2
脚：同步（用于确定启动频率）
10
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脚：CS软起动（延时作用）
11
脚：CB振荡电容（用于确定脉冲频率）
12
脚：
13
14
15
16
17
18
19
20
工作步骤：
第1步：3脚供电
BURSI
脚：
ADIM
脚：电流检测
脚：放大器相位补偿
脚：过压保护
脚：CT用于延时锁定周期
脚：
PRO
脚：
ALARM
开关控制（脉冲调制输入端）
反馈放大器的电流基准
保护输出端子
关机信号输入端子
第2步：1脚使能
第3步：7脚输出基准电压
第4步：2脚对7脚电压检测
第5步：12脚振荡器振荡
第6步：13脚得到脉冲
第7步：14脚内部逻辑电路工作
第8步：控制8脚、10脚内部振荡
第9步：软起动
第10步：输出驱动
STR-H3435
内部框图：
IC3
5V
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STR-H3435
应用：
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