Siemens TP60P Datasheet
TP 60 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
TP 60 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1120 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Montage durch Schraube/Mutter
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1120 nm
● Cathode = back contact
● Mounting by bolt/nut
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
fso06007
TP 60 P Q62607-S60
Semiconductor Group 200
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
TP 60 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Kennwerte (T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Symbol
Symbol
S 1 (≥ 0.7) µA/Ix
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
λ 400 ... 1120 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
A 1.3 cm
Radiant sensitive area
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
1V
Wert
Value
Einheit
Unit
900 nm
2
Form der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Shape of radiant sensitive area
Halbwinkel
ϕ±60 Grad
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 1 V; E = 0
R
I
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
S
λ
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
η 0.80
Quantum yield
Leerlaufspannung,
Open-circuit voltage
E
= 1000 Ix
v
E
= 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm
e
V
O
V
O
Semiconductor Group 201
Sechseck
hexagon
deg.
0.1 (≤ 2) µA
0.55 A/W
Electrons
Photon
450 (≥ 270)
mV
430
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