Siemens TP60P Datasheet

TP 60 P

Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell

TP 60 P

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1120 nm

● Kathode = Chipunterseite

● Montage durch Schraube/Mutter

Anwendungen

● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke

● zur Abtastung von Lichtimpulsen

● quantitative Lichtmessung im sichtbaren

Licht- und nahen Infrarotbereich

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1120 nm

● Cathode = back contact

● Mounting by bolt/nut

Applications

● For control and drive circuits

● Light pulse scanning

● Quantitative light measurements in the

visible light and near infrared range

fso06007

TP 60 P Q62607-S60

Semiconductor Group 200

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

TP 60 P

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Operating and storage temperature range
Sperrspannung

V

R

Reverse voltage

Kennwerte (T

= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

A

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung

Description

Fotoempfindlichkeit,

V

R

= 0 V

Symbol
Symbol

S 1 (≥ 0.7) µA/Ix

Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

λ

S max

Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

λ 400 ... 1120 nm

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

Bestrahlungsempfindliche Fläche

max

A 1.3 cm

Radiant sensitive area

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

1V

Wert
Value

Einheit
Unit

900 nm

2

Form der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Shape of radiant sensitive area

Halbwinkel

ϕ±60 Grad

Half angle
Dunkelstrom,

V

= 1 V; E = 0

R

I

R

Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

S

λ

Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm

η 0.80

Quantum yield
Leerlaufspannung,

Open-circuit voltage

E

= 1000 Ix

v

E

= 0.5 mW/cm2; λ = 850 nm

e

V

O

V

O

Semiconductor Group 201

Sechseck
hexagon

deg.

0.1 (≤ 2) µA

0.55 A/W

Electrons
Photon

450 (≥ 270)

mV

430