Siemens BPW34B Datasheet
Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit
Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
5.4
Cathode marking
4.0
3.7 4.3
0.6
1.8
0.4
0.6
0.4
0.8
0.6
1.4
1.2
0.5
0.3
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
0.7
0.35
0.2
0.8
0.6
4.9
4.5
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Chip position
2.2
0.6
0.4
1.9
3.5
3.0
BPW 34 B
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
● SMT-Variante auf Anfrage
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren
Lichtbereich
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
GEO06643
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
● DIL plastic package with high packing
density
● SMT version on request
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feo06643
BPW 34 B Q62702-P945
Semiconductor Group 1 1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPW 34 B
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
T
S
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
230 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
V
Fotoempfindlichkeit,
= 5 V
R
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
S
λ
S max
75 nA/Ix
850 nm
λ 350 ... 1100 nm
A 7.45 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±60 Grad
I
R
2.73 × 2.73 mm × mm
0.5 mm
deg.
2 (≤ 30) nA
2
Semiconductor Group 2 1997-11-19
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