Siemens BPW33 Datasheet
Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode
Cathode marking
4.0
3.7 4.3
0.6
1.8
0.4
0.6
0.4
0.8
0.6
1.4
0.7
1.2
0.5
0.3
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
0.8
0.35
0.2
0.6
5.4
4.9
4.5
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Chip position
2.2
0.6
0.4
1.9
3.5
3.0
BPW 33
Approx. weight 0.1 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● Sperrstromarm (typ. 20 pA)
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
Anwendungen
● Belichtungsmesser
● Farbanalyse
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
GEO06643
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● Low reverse current (typ. 20 pA)
● DIL plastic package with high packing
density
Applications
● Exposure meters
● Color analysis
BPW 33 Q62702-P76
feo06643
Semiconductor Group 1 1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPW 33
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Symbol
Symbol
S
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
7V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
75 (≥ 35) nA/Ix
800 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 1 V
Dark current
Nullpunktsteilheit,
E = 0
Zero crossover
λ 350 ... 1100 nm
A 7.34 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±60 Grad
I
R
S
0
2.71 × 2.71 mm × mm
0.5 mm
deg.
20 (≤ 100) pA
≤ 2.5 pA/mV
2
Semiconductor Group 2 1997-11-19
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