Siemens BPW21 Datasheet

BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPW 21

fmo06011

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 350 nm bis 820 nm

● Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (V

● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

TO-5)

Anwendungen

● Belichtungsmesser für Tageslicht

● Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in

der Fotografie und Farbanalyse

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

BPW 21 Q62702-P885

Features

● Especially suitable for applications from

350 nm to 820 nm

)

λ

● Adapted to human eye sensitivity (V

● Hermetically sealed metal package (similar

)

λ

to TO-5)

Applications

● Exposure meter for daylight

● For artificial light of high color temperature in

photographic fields and color analysis

Semiconductor Group 1 1998-11-13

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPW 21

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom

T

S

Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung

V

R

Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C

P

tot

Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

235 °C

10 V

250 mW

Wert
Value

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

S

λ

S max

10 (≥ 5.5) nA/lx

550 nm

λ 350 ... 820 nm

A 7.34 mm

L × B

L

× W

H

ϕ±55 Grad

2.73 × 2.73 mm × mm

1.9 ... 2.3 mm

deg.

2

Semiconductor Group 2 1998-11-13