Siemens BPU62 Technical data

查询BPY62供应商

BPY 62

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm

● Hohe Linearität

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

Features

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1130 nm

● High linearity

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection suitable up to 125 °C

● Available in groups

BPY 62

fmof6019

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BPY 62 Q60215-Y62
BPY 62-2 Q60215-Y1111
BPY 62-3 Q60215-Y1112
BPY 62-4 Q60215-Y1113
BPY 62-5

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

1)

Q62702-P1113

Semiconductor Group 238

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPY 62

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 125 °C

260 °C

300 °C

50 V

100 mA

200 mA

Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

V

EB

P

tot

R

thJA

7V

200 mW

500 K/W

Semiconductor Group 239