Siemens BPU62 Technical data
BPY 62
Semiconductor Group 238
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPY 62
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 62 Q60215-Y62
BPY 62-2 Q60215-Y1111
BPY 62-3 Q60215-Y1112
BPY 62-4 Q60215-Y1113
BPY 62-5
1)
Q62702-P1113
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
fmof6019
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
● Hohe Linearität
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
● High linearity
● Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125 °C
● Available in groups
Applications
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
10.95
查询BPY62供应商
Semiconductor Group 239
BPY 62
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 125 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
T
S
260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
T
S
300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50 V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
100 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
I
CS
200 mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7V
Verlustleistung,
T
A
= 25 °C
Total power dissipation
P
tot
200 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
500 K/W
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