Siemens BP104S Datasheet

Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode

BP 104 S

0...0.1

1.1

0.9

0.2

0...5˚

1.5

1.7

4.0

GEO06861

0.1

3.7

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

● Short switching time (typ. 20 ns)

● Suitable for vapor-phase and IR-reflow

soldering

● Suitable for SMT

Chip position

1.2

1.1

0.3

6.7

6.2

4.5

4.3

1.6

±0.2

0.9

0.7

Photosensitive area Cathode lead

2.20 mm x 2.20 mm

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm

● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

● geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-

Reflow-Löten

● SMT-fähig

feo06862

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR-Fernsteuerungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Applications

● Photointerrupters

● IR remote controls

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BP 104 S Q62702-P1605

Semiconductor Group 1 1997-11-19

Grenzwerte
Maximum Ratings

BP 104 S

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Operating and storage temperature range
Sperrspannung

V

R

Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C

P

tot

Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung
Description

Fotoempfindlichkeit VR = 5 V

Symbol
Symbol

S 55 (≥ 40) nA/lx

Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

λ

S max

Wavelength of max. sensitivity

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 85 °C

20 V

150 mW

Wert
Value

Einheit
Unit

850 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current

Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity

Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield

λ 400 ... 1100 nm

A 4.84 mm

L × B

L

× W

H

2.20 × 2.20 mm × mm

0.3 mm

2

ϕ±60 Grad

deg.

I

R

S

λ

2 (≤ 30) nA

0.62 A/W

η 0.90 Electrons

Photon

Semiconductor Group 2 1997-11-19