Siemens BP103BF-4, BP103BF-3, BP103BF-2, BP103B-4, BP103B-3 Datasheet
...
BP 103 B
BP 103 BF
.
NPN-Silizium-Fototransistor
NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
BP 103 B
BP 103 BF
Silicon NPN Phototransistor
NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B)
und bei 880 nm (BP 103 BF)
● Hohe Linearität
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of
880 nm (BP 103 BF)
● High linearity
● 5 mm LED plastic package
● Available in groups
Applications
● Computer-controlled flashes
● Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 204
BP 103 B
BP 103 BF
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)
BP 103 B-2
(*SFH 300-2)
BP 103 B-3
(*SFH 300-3)
BP 103 B-4
1)
(*SFH 300-4)
BP 103 BF-2
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Q62702-P85-S2 T1
spieβe im 2.54-mm-Raster (
Q62702-P85-S3
chung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden
T13/4, transparent and black epoxy resin lens, sol-
Q62702-P85-S4
der tabs 2.54 mm (
marking: short solder lead, flat at package bottom
Q62702-P1192
3
/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-
1
/10”) lead spacing, collector
1
/10”), Kollektorkennzei-
(*SFH 300 FA-2)
BP 103 BF-3
Q62702-P1057
(*SFH 300 FA-3)
BP 103 BF-4
Q62702-P1058
(*SFH 300 FA-4)
1)
Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
Wert
Value
–55 ... +100
260
300
Einheit
Unit
o
C
o
C
o
C
35 V
50 mA
Semiconductor Group 205
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