Siemens BP103-4, BP103-3, BP103-2, BP103, BP103-5 Datasheet

BP 103

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm

● Hohe Linearität

● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-

Gieβharz, mit Basisanschluβ

Features

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1130 nm

● High linearity

● TO-18, base plate, transparent epoxy resin

lens, with base connection

BP 103

fet06017

Anwendungen

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Applications

● Computer-controlled flashes

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BP 103 Q62702-P75
BP 103-2 Q62702-P79-S1
BP 103-3 Q62702-P79-S2
BP 103-4 Q62702-P79-S4
BP 103-5

1)

Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

1)

Q 62702-P781

Semiconductor Group 211

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BP 103

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

260 °C

300 °C

50 V

100 mA

200 mA

Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

V

EB

P

tot

R

thJA

7V

150 mW

500 K/W

Semiconductor Group 212