ON Semiconductor NCP1200CH Technical data

NCP1200CH/D

产品予告
通用离线电源小功率电流模式脉宽
通用离线电源小功率电流模式脉宽
通用离线电源小功率电流模式脉宽通用离线电源小功率电流模式脉宽 调制控制器
调制控制器
调制控制器调制控制器
SO­8DIP8封装的NCP1200代表了向超小型开关电源
方向重大飞跃。由于其采用新型µSell™方案,用它 可以构成一个完全离线的电池充电器或只有少数外
部元件的备用开关电源。此外,由于输出短路保护 集成在内可使设计人员用它来构成一个,只带简单 反馈电路的、成本极低的壁式交流/直流适配器。 由于其内部结构工作于固定的40kHz60kHz,以及 控制器用来驱动像IGBT或MOSFET之类的低栅极电 荷量的器件,因而只需很小的运行功率。由于采用 电流模式控制,NCP1200极大地简化了具有优异的 音频敏感性和固有的逐脉冲控制的,可靠的廉价离 线变换器的设计。 当电流设置点降到低于给定值时,例如当输出功率 需要量减小时,该集成电路自动地进入所谓跳周期 模式,以便在轻负载条件下达到极好的效率。因为 这种情况发生在低峰值电流条件下,所以不会产生 听得到的噪声。 最后,该集成电路由直流干线自行供电,因而不需 要辅助绕组。这一特点可以保证,在出现低输出电 压或短路时,仍正常运行。 特点:
特点:
特点:特点:
需辅助电源绕组
内部有输出短路保护电路
待机极低
电流模式带跳周期功
内部有前沿消隐电路
110mA峰值/电流能力
内部固定频率为40kHz 60kHz
过光耦合器直接连接
交流/直流适配器
离线电池充电器
辅助/附属电源
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SO-8
D后缀
管壳751
DIP-8
P后缀
管壳626
定购信息
定购信息
定购信息定购信息
(顶视图)
定购信息
定购信息
定购信息定购信息
器件
器件 封装
器件器件
NCP1200P DIP-8 NCP1200D SO-8
NCP1200DR2 SO-8
封装 装运
封装封装
标志图
标志图
标志图标志图
装运
装运装运
50件/轨 98件/轨
2500/
滤波
通用输入
包含正制的产品的信息,安森美半导体有权改变或中止该产品的制,行通
© 半导体元件工业有限公司,2000
2000年年年2月月月月-第第第第0次修订版
次修订版
1
出版物订购号:
NCP1200CH/D
能描述
能描述
能描述能描述
脚名称
脚名称
脚名称脚名称
1Adj 2FB 3CS 4Gnd 5Drv 6Vcc 7NC
峰值电流 该管用来调发生跳周期的电 设置峰值电流设定点 将光耦合接至根据输出功率需峰值电流设定点 电流检测输入 集成电路地 驱动脉冲 集成电路电源 空脚 该不连接的管用来保证适当的
能描
描述
描述描述
脚检测初级电流,L.E.B将检测入内部比较
驱动器到外部MOSFET的输出 该脚接至典型值为10µF的外部大量电
8HV由电源线产生Vcc 接至高压干线,该管脚将恒定电流Vcc量电
HV电流源
跳周期 比较
电流检测
内部
Q发器
DCmax=80%
和低内部压器
复位
故障持续
内部电路结构图
内部电路结构图
内部电路结构图内部电路结构图
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2
NCP1200CH/D
最大定值
最大定值
最大定值最大定值
定值 电源电压 最大功 热阻,结至空气 工作环境温度 最大结存温度范围
定值
定值定值
号值
V
CC
P
D
R
θJA
T
A
T
Jmax
T
stg
值单
值值
16 V
100 °C/W
-25+85 °C 125 °C
-60+150 °C
W
能力,人体模型(VccHV以外的所有管 2.0 kV能力器模型
200 V
8HV)最大电压,管6Vcc 450 V8HV)最大电压,管6Vcc)通10µF容去耦到地 500 V
特性
特性(对典型值TA=25°C,最小/最大值TA=-
特性特性
25°C至+85°C,最大T
定值
自供电
自供电(V
自供电自供电
VCC
ON
VCC
OFF
pin8
Vcc增加时电流源开的电 6 Vcc减小时电流源通的电 6
=125°CVcc=11V除非另定)
J
定值
定值定值
=50V, f
=40kHz
OSC
最小值
最小值 型值
最小值最小值
型值 最大值
型值型值
12 10
最大值
最大值最大值
V
V ICC1 集成电路内部电流消耗,管脚6无输出负载 6 400 µA ICC2 集成电路内部电流消耗,管脚接1nF输出负载 61.5mA ICC3
内部电流源
内部电流源
内部电流源内部电流源
IC1 高压电流源,Vcc=VCC
集成电路内部电流消耗状态
MAX-100mV 8
H
IC2 压电流源,Vcc=0 8
驱动输出
驱动输出
驱动输出驱动输出
T T
R
OH
R
OL
电流比较
电流比较器(管5空载)
电流比较电流比较
I
IB
I
Limit
I
Lskip
T
DEL
T
LEB
内部振荡
内部振荡器(Vcc=1 1V,管51Ω负载)
内部振荡内部振荡
f
OSC
f
OSC
Dmax
反馈部
反馈部分(Vcc=11V, 管51负载)
反馈部反馈部
R I
ratio
跳周期产生
跳周期产生
跳周期产生跳周期产生
V
skip
输出电压上升间@ CL=1nF,输出信号的10-90% 5 67 ns
r
出电压下降时@ CL=1nF,输出信号的10-90% 5 28 ns
f
(驱动=0V(驱动=1 1VV
=VCCHMAX-1V 536
gate
=1V 511
gate
输入偏置电流,管脚3的输入电平为1V 3 -0.5 0.02 0.5 µA 内部电流最大设定值 跳周期工作时的默认的内部电流设定值
电流检测到栅极关断状态 前沿消隐持续
振荡器频率,40kHz 32 40 48 kHz 振荡器频率,60kHz 48 60 72 kHz
最大占空比
内部上拉电阻
up
3电流设定点 4.0
默认的跳转模式电平
脚1内部输出阻抗 1
6 320 µA
4.0
mA mA
3 0.9 1.0 1.1 V 3 300 mV 3 200 ns 3 250 ns
80 %
28.0k
11.2V
k
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3
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