Motorola MJE3439 Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for use in line–operated equipment requiring high fT.
• High DC Current Gain
hFE = 40–160 @ IC = 20 mAdc
• Current Gain Bandwidth Product —
fT = 15 MHz (Min) @ IC = 10 mAdc
• Low Output Capacitance
Cob = 10 pF (Max) @ f = 1.0 MHz
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
350
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CB
450
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
I
C
0.3
Adc
Base Current
I
B
150
mAdc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
P
D
15
0.12
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, T
stg
–65 to +150
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θ
JC
8.33
_
C/W
16
0
0 40 80 120 160
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
12
14
8.0
10
4.0
6.0
2.0
20 60 100 140
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJE3439/D
Motorola, Inc. 1995
0.3 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
350 VOLTS
15 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7
MJE3439
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
350
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 300 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
—
20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 450 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEX
—
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 350 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CBO
—
20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
—
20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 20 mAdc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
FE
30
15
—
200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 4.0 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
—
0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 4.0 mAdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(sat)
—
1.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
BE(on)
—
0.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 5.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
f
T
15
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ob
—
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
fe
25
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
1.0
1.0
Figure 2. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.5
0.3
0.2
0.05
0.001
5.0 10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.02
0.03
2.0 20 50 1000
0.1
100 200 500
MJE3439
0.7
0.07
0.01
0.002
0.003
0.005
0.007
3.0 7.0 30 70 300
The Safe Operating Area Curves indicate IC – VCE limits
below which the device will not enter secondary breakdown.
Collector load lines for specific circuits must fall within the applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure. To
insure operation below the maximum TJ, power–temperature
derating must be observed for both steady state and pulse
power conditions.
Loading...