Motorola MJ15002, MJ15001 Datasheet

1

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

  


The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for h igh

power audio, disk head positioners and other linear applications.

• High Safe Operating Area (100% Tested) —
200 W @ 40 V
50 W @ 100 V

• For Low Distortion Complementary Designs

• High DC Current Gain —

hFE = 25 (Min) @ IC = 4 Adc

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

Value

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

Collector–Emitter Voltage

V

CEO

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

140

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

Collector–Base Voltage

V

CBO

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

140

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

Emitter–Base Voltage

V

EBO

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

5

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

Collector Current — Continuous

I

C

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

15

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Adc

Base Current — Continuous

I

B

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

5

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Adc

Emitter Current — Continuous

I

E

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

20

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Adc

Total Power Dissipation @ TC = 25_C

Derate above 25_C

P

D

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

200

1.14

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Watts
W/_C

Operating and Storage Junction Temperature Range

TJ, T

stg

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

–65 to +200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_

C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

Max

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R

θJC

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

0.875

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_

C/W

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:

1/16″ from Case for v 10 seconds

T

L

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

ОООООООО

265

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_

C



SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document

by MJ15001/D

 Motorola, Inc. 1995




15 AMPERE

POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY

SILICON

140 VOLTS

200 WATTS





CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

 

2

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

C

= 25_C unless otherwise noted)

Characteristic

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Symbol

Min

Max

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)

(IC, = 200 mAdc, IB = 0)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

CEO(sus)

140

—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

Collector Cutoff Current

(VCE = 140 Vdc, V

BE(off)

= 1.5 Vdc)

(VCE = 140 Vdc, V

BE(off)

= 1.5 Vdc, TC = 150_C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

CEX

—
—

100

2

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

µAdc

mAdc

Collector Cutoff Current

(VCE = 140 Vdc, IB = 0)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

CEO

—

250

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

µAdc

Emitter Cutoff Current

(VEB = 5 Vdc, IC = 0)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

EBO

—

100

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

µAdc

SECOND BREAKDOWN

Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased

(VCE = 40 Vdc, t = 1 s (non–repetitive))
(VCE = 100 Vdc, t = 1 s (non–repetitive))

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

I

S/b

5

0.5

—
—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Adc

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(IC = 4 Adc, VCE = 2 Vdc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

h

FE

25

150

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

—

Collector–Emitter Saturation Voltage

(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

CE(sat)

—

1

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

Base–Emitter On Voltage

(IC = 4 Adc, VCE = 2 Vdc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

V

BE(on)

—

2

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Current–Gain — Bandwidth Product

(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f

test

= 0.5 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

f

T

2

—

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

MHz

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f

test

= 1 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

C

ob

—

1000

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

pF

(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2%.

I

C

, COLLECTOR CURRENT (AMP)

5

Figure 1. Active–Region Safe Operating Area

VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

5 7 10 200

10

2

2 3 50 70 10020 30

7

200

1

3

0.5

0.2

0.7

0.3

TC = 25

°

C

TJ = 200°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW RATED V

CEO

There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break­down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa­tion than the curves indicate.

The data of Figure 1 is based on TJ

(pk)

= 200_C; TC is
variable depending on conditions. At high case temper­atures, thermal limitations will reduce the power that can be
handled to values less than the l imitations imposed by
second breakdown.