Motorola BU208A Datasheet
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for use in televisions.
• Collector–Emitter Voltages V
CES
1500 Volts
• Fast Switching — 400 ns Typical Fall Time
• Low Thermal Resistance 1_C/W Increased Reliability
• Glass Passivated (Patented Photoglass). Triple Diffused Mesa Technology for
Long Term Stability
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
BU208A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO(sus)
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
700
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector–Emitter Voltage
V
CES
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
1500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EB
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
I
C
I
CM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
5.0
7.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
Base Current — Continuous
— Peak (Negative)
I
B
I
BM
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
4.0
3.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 95_C
Derate above 95_C
P
D
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
12.5
0.625
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
W/_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, T
stg
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
–65 to +115
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purpose, 1/8″ from Case for 5 Seconds
T
L
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
ОООООООО
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
_
C
NOTES:
1. Pulsed 5.0 ms, Duty Cycle v 10%.
2. See page 3 for Additional Ratings on A Type.
3. Figures in ( ) are Standard Ratings Motorola Guarantees are Superior.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BU208A/D
Motorola, Inc. 1995
5.0 AMPERES
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
700 VOLTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 7
BU208A
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mAdc, L = 25 mH)
V
CEO(sus)
700
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
1
ALL TYPES
(VCE = rated V
CES
, VBE = 0)
I
CES
—
—
1.0
mAdc
Emitter Base Voltage
1
(IC = 0, IE = 10 mAdc)
(IC = 0, IE = 100 mAdc)
V
EBO
5
—
—
7
—
—
Vdc
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 4.5 Adc, VCE = 5 Vdc)
h
FE
2.25
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.5 Adc, IB = 2 Adc)
V
CE(sat)
—
—
1
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.5 Adc, IB = 2 Adc)
V
BE(sat)
—
—
1.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain Bandwidth Product
(IC = 0.1 Adc, VCE = 5 Vdc, f
test
= 1 MHz)
f
T
—
4
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f
test
= 1 MHz)
C
ob
—
125
—
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Storage Time (see test circuit fig. 1)
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 1.8 Adc, LB = 10 µH)
t
s
—
8
—
µs
Fall time (see test circuit fig. 1)
(IC = 4.5 Adc, IB1 = 1.8 Adc, LB = 10 µH)
t
f
—
0.4
—
µs
1
Pulse test: PW = 300 µs; Duty cycle v 2%.
Loading...