Infineon BSM200GB170DL Data Sheet
Marketing Information
BSM 200 GB 170 DL
2,8 x 0,5
M6
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
22,5
1 2 3
1
22
16
28 28 20
93
106,4
22,5
ø6,4
6
7
5
4
6
7
3
5
2
4
23.04.1998
BSM 200 GB 170 DL
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC= 80°C I
TC= 25°C I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp = 1 ms, TC = 80°C I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
tp = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage
Eingangskapazität input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn-on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
rise time (inductive load)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
Abschaltverlustenergie pro Puls
Kurzschlußverhalten
Modulinduktivität
turn-on energy loss per pulse
turn-off energy loss per pulse
SC Data
stray inductance module
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 9mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
IC = 200A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG= 7,5Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C
IC = 200A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG= 7,5Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C
IC = 200A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG= 7,5Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C
IC = 200A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG= 7,5Ω, Tvj = 25°C
VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C
IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG= 7,5Ω, Tvj = 125°C, LS= 60nH
IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG= 7,5Ω, Tvj = 125°C, LS= 60nH
≤
t
10µsec, V
P
≤
T
125°C, VCC=1000V
Vj
V
CEm ax=VCES
≤
15V, RG = 7,5
GE
-L
x dI/dt
sCE
Ω
CES
C,no m.
C
CRM
P
tot
GES
F
I
FRM
I2t 18000 A2s
V
ISOL
min. typ. max.
v
CE sa t
- 2,7 3,3 V
- 3,2 - V
v
GE(th)
C
I
CES
ies
4,5 5,5 6,5 V
- 14 - nF
- 0,05 0,5 mA
- 6 - mA
I
t
GES
d,on
- - 200 nA
- 0,1 - µs
- 0,1 - µs
t
r
- 0,1 - µs
- 0,1 - µs
t
d,off
- 0,8 - µs
- 0,9 - µs
t
f
- 0,03 - µs
- 0,03 - µs
E
on
- 90 - mWs
E
off
- 65 - mWs
I
SC
- 800 - A
L
sCE
- 30 - nH
1700 V
200 A
400 A
400 A
1660 W
± 20 V
200 A
400 A
3,4 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode
Durchlaßspannung forward voltage
Rückstromspitze peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µsec E
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
V
F
- 2,2 2,6 V
- 2 - V
I
RM
- 130 - A
- 190 - A
Q
r
- 22 - µAs
- 50 - µAs
rec
- 10 - mWs
- 20 - mWs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature T
Betriebstemperatur operating temperature T
Lagertemperatur storage temperature T
Transistor / transistor, DC
R
thJC
- - 0,075 K/W
Diode / diode, DC - - 0,15 K/W
pro Module / per Module
d
Paste
≤
50µm / d
grease
≤
50µm
R
thCK
- - 0,012 K/W
vj
op
stg
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / M echanical properties
Innere Isolation internal insulation Al2O
Kriechstrecke
Luftstrecke
CTI
creepage distance 20 mm
clearance 11 mm
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque max. 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M6 max. 5 Nm
Gewicht weight G 420 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor dev ices but promis es no c haracte ristics . It is v alid in combinatio n with the belonging techni cal notes .
3
Loading...