Datasheet LYYT672-MO, LPPT672-MO, LOOT672-MO, LSST672-NO, LGGT672-NO Datasheet (Siemens)

Semiconductor Group 1 11.96

Features

● P-LCC-4 package

● color of package: white

● for use as optical indicator

● appropriate for high ambient light because of the higher operation current (≤ 50 mA DC)

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● both chips can be controlled separately

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

● load dump resistant acc. to DIN 40839

Super Multi TOPLED

®

High-Current LED

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Besondere Merkmale

● Gehäusebauform: P-LCC-4

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch

erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

● Störimpulsfest nach DIN 4083

VPL06837

Semiconductor Group 2

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Streuung der Lichtstärke in einer LED I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstärken ermittelt.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Luminous intensity ratio in one LED I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.

Typ

Type

Emissions­farbe

Color of
Emission

Farbe der
Lichtaustritts­fläche
Color of the
Light Emitting
Area

Lichtstärke

Luminous
Intensity

I

F

= 50 mA

I

V

(mcd)

Lichtstrom

Luminous
Flux

I

F

= 50 mA

ΦV(mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LSS T672-NO super-red /

super-red

colorless clear ≥ 25

(100 typ.)

300 (typ.) Q62703-Q2881

LOO T672-MO orange /

orange

colorless clear ≥ 16

(100 typ.)

300 (typ.) Q62703-Q2536

LYY T672-NO yellow /

yellow

colorless clear ≥ 25

(100 typ.)

300 (typ.) Q62703-Q2883

LGG T672-NO green /

green

colorless clear ≥ 25

(100 typ.)

300 (typ.) Q62703-Q2884

LPP T672-MO pure green /

pure green

colorless clear ≥ 16

(50 typ.)

150 (typ.) Q62703-Q2885

■

■

■

Semiconductor Group 3

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Werte
Values

Einheit
Unit

Betriebstemperatur
Operating temperature range

T

op

– 55 ... + 100 ˚C

Lagertemperatur
Storage temperature range

T

stg

– 55 ... + 100 ˚C

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

T

j

+ 100 ˚C

Durchlaßstrom
Forward current

I

F

50 mA

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

I

FM

1A

Sperrspannung
Reverse voltage

V

R

5V

Verlustleistung
Power dissipation

P

tot

160 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*

)

(Padgröße ≥ 16 mm 2)

mounted on PC board*)(pad size ≥ 16 mm 2)

R

th JA

1)

R

th JA

2)

380
530

K/W
K/W

*)PC-board: FR4

1)

nur ein Chip betrieben

1)

one system on

2)

beide Chips betrieben

2)

both systems on simultaneously

Notes

Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Semiconductor Group 4

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

LS LO LY LG LP

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

F

= 10 mA

λ

peak

635 610 586 565 557 nm

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

F

= 10 mA

λ

dom

628 605 590 570 560 nm

Spektrale Bandbreite bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 % I

rel max

(typ.)

I

F

= 10 mA

∆λ 45 40 45 25 22 nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

v

(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I

v

2ϕ 120 120 120 120 120 deg.

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

F

= 50 mA

V

F

V

F

2.0

3.8

2.1

3.8

2.2

3.8

2.6

3.8

2.6

3.8VV

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

R

= 5 V

I

R

I

R

0.01100.01100.01100.01100.0110µA
µA

Kapazität (typ.)
Capacitance

V

R

= 0 V, f = 1 MHz

C

0

40 35 35 60 80 pF

Schaltzeiten:
Switching times:

I

V

from 10 % to 90 % (typ.)

I

V

from 90 % to 10 % (typ.)

I

F

= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω

t

r

t

f

350
200

500
250

350
200

500
250

500
250nsns

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Semiconductor Group 5

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Relative spektrale Emission I

rel

= f (λ), TA = 25 ˚C, IF= 10 mA

Relative spectral emission

V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I

rel

= f (ϕ)

Radiation characteristic

Semiconductor Group 6

Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current

T

A

= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

= f (tp)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Relative Lichtstärke IV / I

V(50 mA)

= f (IF)

Relative luminous intensity

T

A

= 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

I

F

= f (TA)

Max. permissible forward current

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Semiconductor Group 7

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Wellenlänge der Stahlung λ

peak

= f (TA)

Wavelength at peak emission

I

F

= 10 mA

Durchlaßspannung

V

F

= f (TA)

Forward voltage

I

F

= 50 mA

Dominantwellenlänge λ

dom

= f (TA)

Dominat wavelength

I

F

= 10 mA

Relative Lichtstärke

I

V

/ I

V(25 ˚C)

= f (TA)

Relative luminous intensity

I

F

= 50 mA

Semiconductor Group 8

LSS T672, LOO T672, LYY T672

LGG T672, LPP T672

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

GPL06837