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LPT 80 A
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
16.51
16.00
1.52 1.52
spacing
2.54mm
0.46
Collector
Approx. weight 0.2 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
0.64
0.64
0.46
5.84
5.59
1.29
1.14
1.52
Plastic marking
R = 0.76
2.08
2.34
4.32
4.57
2.54
2.03
1.70
1.45
GEO06391
LPT 80 A
feo06391
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 470 nm bis 1080 nm
● Sidelooker im Kunststoffgehäuse
● Hohe Empfindlichkeit
● Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
Anwendungen
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen der
Industrie
● Lichtschranken
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Features
● Especially suitable for applications from
470 nm to 1080 nm
● Sidelooker in plastic package
● High sensitivity
● Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A
Applications
● A variety of manufacturing and monitoring
applications
● Photointerrupters
LPT 80 A Q68000-A7852 Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster
(1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß
Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing,
collector marking: long solder lead
Semiconductor Group 1 1998-11-16
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LPT 80 A
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
30 V
50 mA
100 mA
7V
100 mW
750 K/W
Semiconductor Group 2 1998-11-16
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
LPT 80 A
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S=10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S=10% of Smax
Abmessung der Chip-Fläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapaziät, VCE= 5 V,f = 1 MHz,E = 0
Capacitance
Dunkelstrom, VCE= 5 V
Dark current
Symbol
Symbol
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
λ 430 ... 1070 nm
L x B
x W
L
0.55 x 0.55 mm x mm
ϕ±35 Grad
deg.
C
I
CE
R
3.3 pF
3 (< 50) nA
Bezeichnung
Description
Fotostrom
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V,
e
λ = 950 nm
E
= 1000 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V
v
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
R
= 1 kΩ, V = 5 V, λ=950 nm, IC = 1 mA
L
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
= I
C
E
= 0.5 mW/cm
e
PCE min
x 0.8,
2
Symbol
Symbol
I
PCE
I
PCE
t
r,tf
V
CEsat
Wert
Value
Einheit
Unit
mA
> 0.25
3.2
10 µs
150 mV
Semiconductor Group 3 1998-11-16
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LPT 80 A
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
500 600 700 800 900 nm 1100
Photocurrent
I
PCE
Ι
Ι
PCE
/ I
PCE
25
PCE25
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
°= f (T
), VCE = 5 V
A
OHF01420
λ
OHF01524
Photocurrent
I
= f (Ee) , VCE= 5 V
PCE
1
10
mA
Ι
PCE
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3 -2
10
10
L
K
J
H
Dark current
I
= f (TA), VCE = 5 V,E = 0
CE0
4
10
nA
Ι
CE0
3
10
2
10
1
10
10
-1
OHFD1422
2
10mW/cm
E
e
OHF00343
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
125
Ι
mA
F
100
75
50
25
0
0
20 40 60 80 C 100
0
OHR01425
T
A
Capacitance
C
= f (VCE), f = 1 MHz,E = 0
CE
8
pF
C
CE
7
6
5
4
3
OHF00344
0.4
0.2
0
-25
Dark current
I
= f (VCE),E = 0
CE0
1
10
nA
Ι
R
0
10
-1
10
-2
10
0
0 25 50 75 100
10 20 30
C
T
A
OHF00342
V
V
CE
0
10
-1
10
0
Directional characteristics
S
= f (ϕ)
rel
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
˚C25 50 75 100
T
A
2
1
0
-2
10
0˚10˚20˚30˚40˚
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
-1
10010110210
V
V
CE
OHF00345
Semiconductor Group 4 1998-11-16
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