TOSHIBA TCD1500C Technical data
TOSHIBA TCD1500C
Semiconductor Reliability Handbook
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东芝公司线阵 CCD 图像传感器 CCD（Charge Coupled Device 电荷耦合器件）
TCD1500C
TCD1500C 是一种高灵敏度、低暗电流、
5340 像元的线阵 CCD 图象传感器。该传感
器可用于传真、图象扫描和 OCR。该器件的
内部信号预处理电路包含采样保持和输出预
放大电路。它包含一列 5340 像元的光敏二极
管，当扫描一张 A3 的图纸时，可达到 16 线/
毫米（400DPI）的精度；或者当扫描一张 A 4
的图纸时，可达到 24 线/毫米（600DPI）的
WDIP22-C-400-2.54B
精度。
特性：
重量：5.4g（典型值）
l 像敏单元数目： 5340 像元
l 像敏单元大小： 7µm×7µm×7µm（相邻像元中心距为 7µm）
l 光敏区域： 采用高灵敏度 PN 结作为光敏单元
l 时钟： 二相（5V）
l 内部电路： 包含采样保持电路，输出预放大电路
l 封装形式： 22 脚 DIP 封装
极限工作值：（见注释 1）
SS
特性描述 符号 工作范围 单位
时钟脉冲电压
转移脉冲电压
复位脉冲电压
采样保持脉冲电压
电源电压（模拟）
电源电压（驱动）
工作温度
贮藏温度
VØ
VSH
VRS
VSP
VAD
VDD
Topr
Tstg
-0.3～15
-25～60
-40～100
V
℃
（注释 1）：所有电压是以 SS 和 VSS 终端（地）为参考。
OS
DOS
NC
SS
SS
V
AD
NC
NC
NC
NC
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
管脚分布图
1
5340
顶视图
221
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
RS
F
SP
V
DD
SW
V
SS
NC
NC
NC
NC
SH
l
东芝公司长期致力于改善其产品的质量和可靠性。但是，一般的半导体器件所固有的电子敏感及
物理损坏特性可能会造成器件产生故障。因此，消费者有责任依照安全标准使用东芝公司的产品，
并且避免由于东芝公司产品的故障所造成的人身伤害或财产损失。设计者应当参考东芝公司提供
的最新的产品操作范围进行产品设计。详细的使用注意事项和工作条件请参考东芝公司的《半导
体器件可靠性手册》（
）。
1995/10/01 1/10
TOSHIBA TCD1500C
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电路原理图
管脚定义：
Ø
SH
RS
SP
OS
DOS
VAD
VDD
SS
VSS
SW
NC
时钟
转移栅
复位栅
采样保持栅
信号输出
补偿输出
电源（模拟）
电源（驱动）
地（模拟）
地（驱动）
末位时钟选择切换
未连接
1995/10/01 2/10
TOSHIBA TCD1500C
x
∆
×
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光学╱电子特性参数：
（Ta=25℃，VAD = VDD =12V，VØ =VRS=VSH = 5V（脉冲）， fØ =0.5MHZ，fRS =1MHZ，tINT（积分时间）
=10ms，光源=日光荧光灯）
特 性 符 号 最小值 典型值 最大值 单 位 注 释
灵敏度
光响应非均匀性
寄存器不平衡性
饱和输出电压
饱和曝光量
暗信号电压
暗信号非均匀性
模拟电流耗散
驱动电流耗散
总转移效率
输出阻抗
动态范围
直流信号输出电压
直流补偿输出电压
直流差动误差电压
（注释 2） 此为 50% SE 饱和曝光量（典型值）下测定。
PRUN 定义为：PRNU =
R 3.8 4.8 5.8
PRNU
PRNU(3)
RI
VSAT 1.0 1.5
SE 0.17 0.3
VDRK
DSNU
IAD
IDD 10 mA
TTE 92
ZO
DR
VOS 3.5 4.5 6.0 V
VDOS 3.5 4.5 6.0 V
VOS-VDOS
— —
—
— —
— —
— —
— —
—
—
— —
x
×100（%）
3 8 mV
— — %
0.5 1
3000
V╱lx.s
10
3
—
— lx？ s （注释 6）
2 mV
3 mV
20 mA
— — （注释 8）
100 mV
% （注释 2）
% （注释 4）
V
ｋΩ
（注释 3）
（注释 5）
（注释 7）
（注释 7）
（注释 9）
（注释 9）
其中 x 为均匀照度下全部输出信号的平均值， x∆为输出信号与 x 的最大
偏差值。
（注释 3） PRNU(3)在 5% SE 饱和曝光量（典型值）下测定，定义为相邻两个像元
的最大电压值。
（注释 4） 此为 SE 50%饱和曝光量（典型值）下测定。
RI 定义如下：
5339
−
xx
∑
=
RI = ×
1n
+
1nn
100（%）
x5339
其中
x 与
x 为相邻两个像敏单元的输出信号， x 为所有输出信号的
n
平均值。
（注释 5） VSAT 为所有有效像敏单元的最小饱和输出电压。
（注释 6） SE 定义如下：SE =
1+n
V
SAT
（lx·s）
R
1995/10/01 3/10
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