TOSHIBA SSM5H01TU Technical data
SSM5H01TU
東芝複合素子 シリコンNチャネルMOS形 (U-MOS-Ⅲ) + エピタキシャルショットキバリア形
SSM5H01TU
○ DC-DC コンバータ
• Ｎch MOSFET とショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵。
• 低 R
DS (ON)
、低 VFのため低損失。
絶対最大定格 (Ta = 25°C) MOSFET部
項目 記号 定格 単位
ドレイン･ソース間電圧 VDS 30 V
ゲート･ソース間電圧 V
ドレイン電流
許容損失
チャネル温度 Tch 150 °C
DC ID 1.4
パルス I
t = 10s 0.8
±20 V
GSS
(注 2) 2.8
DP
PD (注 1) 0.5
W
A
絶対最大定格 (Ta = 25°C) SBD部
項目 記号 定格 単位
せん頭逆電圧 VRM 25 V
逆電圧 VR 20 V
平均整流電流 IO 0.5 A
ピーク 1 サイクルサージ電流 I
接合温度 T
2 (50 Hz) A
FSM
125 °C
j
単位: mm
UFV
JEDEC ⎯
JEITA ⎯
東芝 2-2R1A
質量: 7 mg (標準)
共通絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
保存温度 T
動作温度 T
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: FR4 基板実装時
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu pad: 645 mm
注 2: パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
注 3: 動作温度は接合温度およびチャネル温度により制限されます。
−55~125 °C
stg
(注 3) −40~100 °C
opr
2
)
1
2010-02-27
SSM5H01TU
現品表示 内部接続
取り扱い上の注意
5
KEF
1 3
この製品の MOSFET 部は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電
対策を講じてください。
熱抵抗 R
ります。ご使用の際は放熱を十分考慮していただきますようお願いします。
4 5
2
th (ch-a)
および許容損失 PDは、ご使用になる基板材料、面積、厚さ、Pad 面積など使用環境により異な
4
2
13
2
2010-02-27
MOSFET部
<
電気的特性 (Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
SSM5H01TU
ゲート漏れ電流 I
ドレイン･ソース間降伏電圧
ドレインしゃ断電流 I
ゲートしきい値電圧 Vth VDS = 5 V, ID = 0.1 mA 1.0 ⎯ 2.4 V
順方向伝達アドミタンス |Yfs| VDS = 5 V, ID = 0.7 A (注 4) 0.9 1.8 ⎯ S
ドレイン･ソース間オン抵抗 R
入力容量 C
帰還容量 C
出力容量 C
スイッチング時間
ターンオン時間 ton ⎯ 18 ⎯
ターンオフ時間 t
VGS = ±16 V, VDS = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA
GSS
V
(BR) DSSID
V
(BR) DSXID
DSS
DS (ON)
VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1 MHz ⎯ 106 ⎯ pF
iss
VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1 MHz ⎯ 15 ⎯ pF
rss
oss
off
= 1 mA, VGS = 0 30 ⎯ ⎯
= 1 mA, VGS = -20 V 15 ⎯ ⎯
VDS = 30 V, VGS = 0 ⎯ ⎯ 1 μA
ID = 0.7 A, VGS = 10 V (注 4) ⎯ 140 200
I
= 0.7 A, VGS = 4 V (注 4) ⎯ 250 450
D
VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1 MHz ⎯ 28 ⎯ pF
= 15 V, ID = 0.7 A
V
DD
= 0~4 V, RG = 10 Ω
V
GS
⎯ 10 ⎯
注 4: パルス測定
スイッチング特性測定条件
(a)測定回路
4 V
0
10 μs
IN
(b) VIN
OUT
VDD = 15 V
= 10 Ω
R
G
Duty
1%
: tr, tf < 5 ns
V
IN
ソース接地
Ta = 25°C
(c) V
OUT
I
D
G
R
L
R
V
DD
4 V
0
V
DD
10%
V
DS (ON)
tr t
ton t
90%
90%
10%
f
off
V
mΩ
ns
使用上の注意
Vthとは、ある低い動作電流値 (本製品においては ID = 100 μA) になるときのゲート･ソース間電圧で表されます。
通常のスイッチング動作の場合、V
ります。(V
GS (off)
< Vth < V
GS (on)
ご使用する際には十分注意願います。
は Vthより十分高い電圧、V
GS (on)
)
3
は Vthより低い電圧にする必要があ
GS (off)
2010-02-27
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