TOSHIBA RN2410, RN2411 User Manual

RN2410,RN2411
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2410,RN2411
スイッチング用 インバータ回路用 インタフェース回路用 ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1410, 1411 とコンプリメンタリになります。
等価回路
等価回路
等価回路等価回路
単位: mm
JEDEC TO–236MOD
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V コレクタ・エミッタ間電圧 V エミッタ・ベース間電圧 V コレクタ電流 IC -100 mA コレクタ損失 PC 200 mW 接合温度 T 保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
50 V
CBO
50 V
CEO
5 V
EBO
150 °C
j
55150 °C
stg
EIAJ SC–59 東芝
2–3F1A
1
2001-05-01
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
RN2410,RN2411
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I エミッタしゃ断電流 I 直流電流増幅率 hFE VCE = -5V, IC = -1mA 120 400 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V トランジション周波数 f コレクタ出力容量 Cob VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
RN2410 3.29 4.7 6.11 RN2411
VCB = 50V, IE = 0 -100 nA
CBO
VEB = 5V, IC = 0 -100 nA
EBO
IC = 5mA, IB = -0.25mA -0.1 -0.3 V
CE (sat)
VCE = 10V, IC = -5mA 200 MHz
T
R1
7 10 13
kΩ
2
2001-05-01
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