RN2410,RN2411
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2410,RN2411
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l 多様な回路設計に適するように種々の抵抗値をそろえていま
す。
l RN1410, 1411 とコンプリメンタリになります。
等価回路
等価回路
等価回路等価回路
単位: mm
JEDEC TO–236MOD
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧 V
エミッタ・ベース間電圧 V
コレクタ電流 IC -100 mA
コレクタ損失 PC 200 mW
接合温度 T
保存温度 T
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
-50 V
CBO
-50 V
CEO
-5 V
EBO
150 °C
j
-55~150 °C
stg
EIAJ SC–59
東芝
2–3F1A
1
2001-05-01
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
RN2410,RN2411
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
直流電流増幅率 hFE VCE = -5V, IC = -1mA 120 ― 400
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 Cob VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
RN2410 3.29 4.7 6.11
RN2411
VCB = -50V, IE = 0 ― ― -100 nA
CBO
VEB = -5V, IC = 0 ― ― -100 nA
EBO
IC = -5mA, IB = -0.25mA ― -0.1 -0.3 V
CE (sat)
VCE = -10V, IC = -5mA ― 200 ― MHz
T
R1 ―
7 10 13
kΩ
2
2001-05-01