RN2407~RN2409
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式) (バイアス抵抗内蔵)
RN2407,RN2408,RN2409
○ スイッチング用
○ インバータ回路用
○ インタフェース回路用
○ ドライバ回路用
l バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため, 部品点数
の削減による機器の小型化, 組立ての省力化が可能です。
l RN1407~1409 とコンプリメンタリになります。
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値
等価回路とバイアス抵抗値等価回路とバイアス抵抗値
単位: mm
形名 R1 (kΩ) R2 (kΩ)
RN2407 10 47
RN2408 22 47
RN2409 47 22
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ・ベース間電圧 V
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度
(Ta = 25°C)
項目 記号 定格 単位
-50 V
RN2407
~2409
RN2407 -6
RN2408 -7
RN2409
RN2407
~2409
CBO
V
-50 V
CEO
V
EBO
-100 mA
C
200 mW
C
150 °C
j
T
-55~150 °C
stg
-15
JEDEC TO–236MOD
EIAJ SC–59
東芝
V
2–3F1A
1
2001-05-01
RN2407~RN2409
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
コレクタしゃ断電流 RN2407~2409
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
入力オン電圧
入力オフ電圧
トランジション
周波数
コレクタ出力容量 RN2407~2409 Cob VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz ― 3 6 pF
入力抵抗
抵抗比率
(Ta = 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
I
VCB = -50V, IE = 0 ― ― -0.1
CBO
I
VCE = -50V, IB = 0 ― ― -0.5
CEO
RN2407 VEB = -6V, IC = 0 -0.081 ― -0.15
I
RN2408 VEB = -7V, IC = 0 -0.078 ― -0.145
RN2409
RN2407 80 ― ―
RN2408 80 ― ―
RN2409
RN2407~2409 V
RN2407 -0.7 ― -1.8
RN2408 -1.0 ― -2.6
RN2409
RN2407 -0.5 ― -1.0
RN2408 -0.6 ― -1.16
RN2409
RN2407~2409 f
RN2407 7 10 13
RN2408 15.4 22 28.6
RN2409
RN2407 0.191 0.213 0.232
RN2408 0.421 0.468 0.515
RN2409
EBO
VEB = -15V, IC = 0 -0.167 ― -0.311
hFE VCE = -5V, IC = -10mA
70 ― ―
IC = -5mA, IB = -0.25mA ― -0.1 -0.3 V
CE (sat)
V
VCE = -0.2V, IC = -5mA
I (ON)
-2.2 ― -5.8
V
VCE = -5V, IC = -0.1mA
I (OFF)
-1.5 ― -2.6
VCE = -10V, IC = -5mA ― 200 ― MHz
T
R1 ―
32.9 47 61.1
R1/R2 ―
1.92 2.14 2.35
μA
mA
V
V
kΩ
2
2001-05-01