東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式)
2SA970
2SA970
○ 低周波低雑音用
· 2SA970 は PNP 低周波低雑音トランジスタで低信号源インピーダンスで
の雑音指数を小さく設計しており、さらにパルス性雑音が小さく、ステ
レオやテープデッキなどのイコライザアンプ初段低雑音増幅用として高
S/N 比特性の実現を容易にします。
· 低信号源インピーダンスでの雑音指数が小さい。
: NF = 3 dB (標準) (R
: NF = 0.5 dB (標準) (RG = 1 kΩ, VCE = −6 V, IC = −0.1 mA, f = 1 kHz)
· 直流電流増幅率が高い。 : h
· 高耐圧です。 : V
· パルス性雑音が小さい。 : 1/f 雑音が小さい。
· 2SC2240 とコンプリメンタリになります。
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 定格 単位
= 100 Ω, VCE = −6 V, IC = −0.1 mA, f = 1 kHz)
G
= 200~700
FE
= −120 V
CEO
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
-120 V
-120 V
-5 V
-100 mA
-20 mA
300 mW
125 °C
-55~125 °C
単位: mm
JEDEC TO-92
JEITA SC-43
東 芝 2-5F1B
質量: g (標準)
1
2002-01-29
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
2SA970
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
コレクタ･エミッタ間降伏電圧 V
直流電流増幅率 hFE (注) VCE = -6 V, IC = -2 mA 200 ¾ 700
コレクタ･エミッタ間飽和電圧 V
ベース･エミッタ間電圧 VBE VCE = -6 V, IC = -2 mA ¾ -0.65 ¾ V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 C
雑音指数 NF
CBO
EBO
(BR) CEOIC
CE (sat)
T
ob
VCB = -120 V, IE = 0 ¾ ¾ -0.1 mA
VEB = -5 V, IC = 0 ¾ ¾ -0.1 mA
= -1 mA, IB = 0 -120 ¾ ¾ V
IC = -10 mA, IB = -1 mA ¾ ¾ -0.3 V
VCE = -6 V, IC = -1 mA ¾ 100 ¾ MHz
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz ¾ 4.0 ¾ pF
VCE = -6 V, IC = -0.1 mA, f = 10 Hz,
= 10 kW
R
G
VCE = -6 V, IC = -0.1 mA, f = 1 kHz,
R
= 10 kW
G
V
= -6 V, IC = -0.1 mA, f = 1 kHz,
CE
R
= 100 W
G
¾ ¾ 6
¾ ¾ 2
¾ 3 ¾
注: hFE分類 GR: 200~400, BL: 350~700
dB
2
2002-01-29
2SA970
-
-5
エミッタ接地
Ta = 25°C
-4
(mA)
C
-3
-2
コレクタ電流 I
-1
0
0 -8 -4 -2
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
5000
3000
FE
1000
500
300
直流電流増幅率 h
100
-0.1
コレクタ電流 IC (mA)
-1
-0.5
-0.3
(V)
-0.1
CE (sat)
-0.05
V
-0.03
Ta = 100°C
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
-0.01
-0.1
コレクタ電流 IC (mA)
– VCE
I
C
h
FE
Ta = 100°C
25
-25
-1 -30-0.3
V
CE (sat)
25
-25
-1 -30-0.3
-6
– IC
-3 -10
– IC
-3 -10
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
IB = -1 mA
エミッタ接地
VCE = -6 V
エミッタ接地
IC/IB = 10
– VBE
I
-30
エミッタ接地
VCE = -6 V
-25
-20
(mA)
C
-15
-10
コレクタ電流 I
-5
0
-10
0
0 -0.8 -0.4 -1.0
C
Ta = 100°C 25 -25
-0.6 -0.2
ベース･エミッタ間電圧 VBE (V)
1000
h パラメータ – I
h
500
300
100
50
30
hre (´ 10
5
fe
hie (´ kW)
)
C
エミッタ接地
VCE = -6 V
f = 270 Hz
Ta = 25°C
h パラメータ
10
5
hoe (´ mW)
3
1
-30 -1000 -10000-3000 -100
-300
コレクタ電流 IC (mA)
3
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2SA970
k
k
k
k
1000
500
300
h パラメータ – V
hfe
100
50
h パラメータ
30
hoe (´ mV)
hie (´ kW)
10
5
-1 -100-10 -3
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
20
(pF)
ob
10
5
3
コレクタ出力容量 C
1
-1
-3 -10
コレクタ･ベース間電圧 VCB (V)
400
300
(mW)
C
200
100
許容コレクタ損失 P
0
0 150
50 125 25
周囲温度 Ta (°C)
C
– VCB
ob
P
C
– Ta
75
CE
エミッタ接地
IC = -1 mA
f = 270 Hz
Ta = 25°C
-30
100
hre (´ 10
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
NF = 1dB
2
, IC
G
NF = 1dB
12
10
8
6
4
3
2
100
NF – R
エミッタ接地
VCE = -6 V
f = 1 kHz
Ta = 25°C
10 k
(9)
5
-
)
G
1
信号源抵抗 R
100
12
10
-10 -10000-1000 -100
3
4
6
8
10
コレクタ電流 IC (mA)
-100-30
100
NF – R
10 k
(9)
G
1
信号源抵抗 R
100
10
-10 -10000-1000 -100
NF = 1dB
10
12
2
NF = 1dB
3
4
6
8
, IC
G
エミッタ接地
VCE = -6 V
f = 10 Hz
12
Ta = 25°C
10
8
6
4
3
2
コレクタ電流 IC (mA)
4
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2SA970
当社半導体製品取り扱い上のお願い
当社半導体製品取り扱い上のお願い
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