TOSHIBA 2SA1296 Service manual
東芝トランジスタ シリコン PNP エピタキシャル形 (PCT 方式)
2SA1296
2SA1296
○ 低周波電力増幅用
○ 電力スイッチング用
· 2SC3266 とコンプリメンタリになります。
· 許容コレクタ損失が大きい。: PC = 750 mW (Ta = 25°C)
最大定格
最大定格
最大定格最大定格
コレクタ･ベース間電圧 V
コレクタ･エミッタ間電圧 V
エミッタ･ベース間電圧 V
コレクタ電流 I
ベース電流 I
コレクタ損失 P
接合温度 T
保存温度 T
(Ta ==== 25°C)
項目 記号 定格 単位
電気的特性
電気的特性
電気的特性電気的特性
(Ta ==== 25°C)
CBO
CEO
EBO
C
B
C
j
stg
-20 V
-20 V
-6 V
-2 A
-0.5 A
750 mW
150 °C
-55~150 °C
単位: mm
JEDEC TO-92
JEITA SC-43
東 芝 2-5F1B
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
コレクタしゃ断電流 I
エミッタしゃ断電流 I
コレクタ･エミッタ間降伏電圧 V
エミッタ･ベース間降伏電圧 V
直流電流増幅率
コレクタ･エミッタ間飽和電圧 V
ベース･エミッタ間電圧 V
トランジション周波数 f
コレクタ出力容量 C
注: h
分類 Y: 120~240, GR: 200~400
FE (1)
h
CBO
EBO
(BR) CEO
(BR) EBO
(注)VCE = -2 V, IC = -0.1 A 120 ¾ 400
FE (1)
h
FE (2)
CE (sat)
BE
T
ob
質量: g (標準)
VCB = -20 V, IE = 0 ¾ ¾ -0.1 mA
VEB = -6 V, IC = 0 ¾ ¾ -0.1 mA
IC = -10 mA, IB = 0 -20 ¾ ¾ V
IE = -0.1 mA, IC = 0 -6 ¾ ¾ V
VCE = -2 V, IC = -2 A 40 ¾ ¾
IC = -2 A, IB = -0.1 A ¾ ¾ -0.5 V
VCE = -2 V, IC = -0.1 A ¾ ¾ -0.85 V
VCE = -2 V, IC = -0.5 A ¾ 120 ¾ MHz
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz ¾ 40 ¾ pF
1
2002-02-01
2SA1296
-2000
-1600
(mA)
C
-1200
-800
コレクタ電流 I
-400
-25
-20
-15
-10
-8
-6
-4
-3
-2
0
0 -16 -8 -4
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
-5
-3
エミッタ接地
IC/IB = 20
-1
-0.5
(V)
-0.3
-0.1
CE (sat)
V
-0.05
-0.03
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
-0.01
-1
-10 -1000 -300 -3
コレクタ電流 IC (mA)
1000
800
(mW)
C
600
400
200
許容コレクタ損失 P
0
0 150100 125 50 75
25
周囲温度 Ta (°C)
– VCE
I
C
IB = -1 mA
0
V
CE (sat)
-30 -100
P
C
-12
– Ta
– IC
エミッタ接地
Ta = 25°C
Ta = 100°C
-25
-24 -20
25
-3000
– IC
h
1000
500
FE
300
100
50
30
直流電流増幅率 h
10
-1 -30 -3000-100 -10-3 -300
FE
Ta = 100°C
25
-25
エミッタ接地
VCE = -2 V
-1000
コレクタ電流 IC (mA)
– VBE
I
-2000
-1600
(mA)
C
-1200
コレクタ電流 I
-800
-400
0
0
Ta = 100°C
C
エミッタ接地
VCE = -2 V
25
-25
-1.6 -0.8-0.4
-1.2
-2.4-2.0
ベース･エミッタ間電圧 VBE (V)
安全動作領域
-10
-5
IC max (パルス)**
-3
IC max (連続)
-1
(A)
C
-0.5
-0.3
直流動作 Ta = 25°C
100 ms*
10 ms*
1 ms*
-0.1
コレクタ電流 I
* : 単発パルス Ta = 25°C
**: パルス幅 10 ms (最大)
-0.05
-0.03
-0.01
繰り返し率 30% , Ta = 25°C
安全動作領域は温度によって
ディレーティングして考える必
要があります。
-0.1
-3
V
CEO
-10 -1 -0.3
max
-30
コレクタ･エミッタ間電圧 VCE (V)
2
2002-02-01
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