Siemens LYS269-BO, LSS269-BO, LGS269-BO Datasheet
LC SOT-23 LED, Diffused
Low Current LED
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● extrem weitwinklig
● als optischer Indikator einsetzbar
● hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
LS S269, LY S269, LG S269
● colored, diffused package
● extrem wide-angle LED
● for use as optical indicator
● high luminous intensity at very low currents (typ. 2 mA)
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 2 mA
F
I
(mcd)
V
Bestellnummer
Ordering Code
LS S269-BO super-red red diffused ≥ 0.16 Q62703-Q1566
LY S269-BO yellow yellow diffused ≥ 0.16 Q62703-Q1568
VSO06723
LG S269-BO green green diffused ≥ 0.16 Q62703-Q1570
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 1998-04-07
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS S269, LY S269, LG S269
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
1)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
7.5 mA
150 mA
5V
20 mW
750 K/W
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm
1)
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm
2
2
Semiconductor Group 2 1998-04-07
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS S269, LY S269, LG S269
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % I
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 7.5 mA
F
rel max
rel max
(typ.)
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % I
V
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 2 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
peak
λ
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
2ϕ 140 140 140 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.8
2.6
0.01
10
2.0
2.7
0.01
10
1.9
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
3312pF
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3 1998-04-07
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