Siemens LUB371-FJ, LUB371-GK Datasheet

Symbol MULTILED

®

2.5 mm x 5 mm, Partly Diffused

Besondere Merkmale

● nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse

● Lötspieße im 2.54 mm Raster

● hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich

● Anzeige unterschiedlicher Betriebszustände durch Farb-

wechsel von rot auf grün möglich

● beide Farben getrennt ansteuerbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colorless, partly diffused package

● 2.54 mm lead spacing

● high signal efficiency possible by color change of the LED

● indication of different operation modes is possible by color

change of the LED from red to green

● both colors can be controlled separately

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LU B371

VEX06721

Typ
Type

LU B371-FJ super-red / green colorless clear
LU B371-GK super-red / green 1.6 … 12.5 Q62703-Q2049

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Streuung der Lichtstärke in einer LED I

1)

Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I
Luminous intensity ratio in one LED I

1)

In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.

Emissionsfarbe
Color of
Emission

Gehäusefarbe
Color of
Package

partly diffused

/ I

V max

V max

/ I

V min

V max

V min

Lichtstärke
Luminous

Bestellnummer
Ordering Code

Intensity

I

= 10 mA

F

I

(mcd)

V

1.0 … 8.0 Q62703-Q2048

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

≤ 4.0 (LU B371 - FJ), ≤ 2.0 (LU B371 - GK).

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

≤ 4.0 (LU B371 - FJ), ≤ 2.0 (LU B371 - GK).

Semiconductor Group 1 11.96

Grenzwerte
Maximum Ratings

LU B371

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Verlustleistung
Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

P

tot

R

th JA

Werte
Values

Einheit
Unit

–55…+100 ˚C

–55…+100 ˚C

+ 100 ˚C

1)

40

0.5

140

1)

1)

mA

A

mW

400 K/W

1)

Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebenen
Grenzen nicht überschreiten.

1)

With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed
the specified limits.

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

LU B371

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I

I

= 20 mA

F

Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I

I

V

I

rel max

rel max

(Vollwinkel)

V

(typ.)
(typ.)

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

= 10 mA

F

Kapazität (typ.)
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Schaltzeiten:
Switching times:

I

from 10 % to 90 % (typ.)

V

I

from 90 % to 10 % (typ.)

V

I

= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω

F

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

super-red green

λ

peak

λ

dom

635 565 nm

628 570 nm

∆λ 45 25 nm

2ϕ 100 100 Grad

deg.

V
V

C

t
t

F
F

0

r
f

2.0

2.6

2.0

2.6

V
V

12 15 pF

300
150

450
200

ns
ns

Semiconductor Group 3