Siemens BPY64P Datasheet

BPY 64 P

Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell

BPY 64 P

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1060 nm

● Kathode = Chipunterseite

● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht

überzogen

● Weiter Temperaturbereich

Anwendungen

● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke

● zur Abtastung von Lichtimpulsen

● quantitative Lichtmessung im sichtbaren

Licht- und nahen Infrarotbereich

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1060 nm

● Cathode = back contact

● Coated with a humidity-proof protective

layer

● Wide temperature range

Applications

● For control and drive circuits

● Light pulse scanning

● Quantitative light measurements in the

visible light and near infrared range

fso06636

BPY 64 P Q60215-Y67

Semiconductor Group 197

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPY 64 P

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

Operating and storage temperature range
Sperrspannung

V

R

Reverse voltage

Kennwerte (T

= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

A

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung

Description

Fotoempfindlichkeit,

V

R

= 0 V

Symbol
Symbol

S 0.25 ( 0.18) µA/Ix

Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

λ

S max

Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

λ 420 ... 1060 nm

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

Bestrahlungsempfindliche Fläche

max

A 0.36 cm

Radiant sensitive area

Wert
Value

Einheit
Unit

− 55 ... + 100 °C

1V

Wert
Value

Einheit
Unit

850 nm

2

Abmessungen der

L × B

bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Halbwinkel

L × W
ϕ±60 Grad

Half angle
Dunkelstrom, V

= 1 V; E = 0

R

I

R

Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

S

λ

Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm

η 0.72

Quantum yield
Leerlaufspannung,

= 1000 Ix

v

V

O

E

Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,

E

= 1000 Ix

v

I

SC

Short-circuit current

Semiconductor Group 198

5.98 × 5.98 mm

deg.

4 (≤ 80) µA

0.50 A/W

Electrons
Photon

450 (≥ 280) mV

0.25 (≥ 0.18) mA