Siemens BPY63P Datasheet
BPY 63 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 63 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
● Weiter Temperaturbereich
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Cathode = back contact
● Coated with a humidity-proof protective
layer
● Wide temperature range
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
fso06635
BPY 63 P Q60215-Y63-S1
Semiconductor Group 193
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPY 63 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Symbol
Symbol
S
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
λ 400 ... 1100 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
A 94 mm
Radiant sensitive area
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
1V
Wert
Value
Einheit
Unit
0.65 (≥ 0.45) µA/Ix
830 nm
2
Abmessungen der
L × B
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
L
ϕ±60 Grad
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 1 V; E = 0
R
I
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
S
λ
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
η 0.72
Quantum yield
Leerlaufspannung,
= 1000 Ix
v
V
O
E
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
= 1000 Ix
v
I
SC
E
Short-circuit current
Semiconductor Group 194
9.69×9.69 mm
× W
deg.
10 (≤ 60) µA
0.5 A/W
Electrons
Photon
430 (≥ 280) mV
0.65 (≥ 0.45) mA
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