Siemens BPY48P Datasheet

BPY 48 P

Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell

BPY 48 P

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1060 nm

● Kathode = Chipunterseite

● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht

überzogen

● Weiter Temperaturbereich

Anwendungen

● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke

● zur Abtastung von Lichtimpulsen

● quantitative Lichtmessung im sichtbaren

Licht- und nahen Infrarotbereich

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1060 nm

● Cathode = back contact

● Coated with a humidity-proof protective

layer

● Wide temperature range

Applications

● For control and drive circuits

● Light pulse scanning

● Quantitative light measurements in the

visible light and near infrared range

BPY 48 P Q60215-Y65

fso06634

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPY 48 P

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Kennwerte (
Characteristics (

T

= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

A

T

= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

A

Bezeichnung
Description

Fotoempfindlichkeit,

V

R

= 0 V

Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

V

R

Symbol
Symbol

S

λ

S max

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 °C

1V

Wert
Value

Einheit
Unit

0.5 (≥ 0.35) µA/Ix

850 nm

λ 420 ... 1060 nm

A 70 mm

2

Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom,

V

= 1 V; E = 0

R

Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield

E

Leerlaufspannung,

= 1000 Ix

v

Open-circuit voltage

E

Kurzschluβstrom,

= 1000 Ix

v

Short-circuit current

L × B

× W

L

5.78 × 12.18 mm

ϕ±60 Grad

deg.

I

R

S

λ

η 0.80

10 (≤ 180) µA

0.55 A/W

Electrons
Photon

V

O

I

SC

460 (≥ 280) mV

0.5 (≥ 0.35) mA