BPY 12
BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12
BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feo06697 fso06016
BPY 12
BPY 12 H 1
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 12 Q62702-P9
BPY 12 H 1 Q62702-P1029
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Kennwerte (
Characteristics (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
T
= 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
A
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
P
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
20 V
150 mW
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 20 V
R
Dark current
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
180 (≥ 100) nA/Ix
920 nm
λ 400 ... 1100 nm
A 20 mm
L × B
× W
L
ϕ±60 Grad
I
R
4.47 × 4.47 mm
deg.
10 (≤ 100) nA
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