BPY 11 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
● Cathode = back contact
● Coated with a humidity-proof protective
layer
● Binned by spectral sensitivity
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
BPY 11 P IV Q60215-Y111-S4
fso06032
BPY 11 P V Q60215-Y111-S5
Semiconductor Group 183
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPY 11 P
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Symbol
Symbol
S
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
λ 420 ... 1060 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
A 7.6 mm
Radiant sensitive area
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
1V
Wert
Value
Einheit
Unit
60 (≥ 47) nA/Ix
850 nm
2
Abmessungen der
L × B
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
L
ϕ±60 Grad
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 1 V; E = 0
R
I
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
S
λ
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
η 0.80
Quantum yield
Leerlaufspannung,
= 1000 Ix
v
V
O
E
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
= 1000 Ix
v
I
SC
E
Short-circuit current
Semiconductor Group 184
1.95 × 4.45 mm
× W
deg.
1 (≤ 10) µA
0.55 A/W
Electrons
Photon
440 (≥ 260) mV
60 (≥ 47) µA
BPY 11 P
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Symbol
Symbol
t
, t
r
f
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 1 kΩ; VR= 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
L
Temperaturkoeffizient von
V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
I
Temperature coefficient of I
Kapazität,
V
= 1 V, f = 1 MHz, E = 0
R
O
O
SC
SC
TC
TC
C
V
I
0
Capacitance
Fotoempfindlichkeitsgruppen
Spectral sensitivity groups
Typ
I
(Ev = 1000 Ix)
SC
Type
Wert
Value
Einheit
Unit
3 µs
– 2.6 mV/K
0.12 %/K
0.8 nF
BPY 11 P IV 47 ... 63 µA
BPY 11 P V ≥ 56 µA
Semiconductor Group 185
BPY 11 P
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current
I
= f (TA), VR = 1 V, E = 0
R
Open-circuit voltage VO= f (Ev)
Short-circuit current I
SC
= f (Ev)
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Capacitance
C =f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 186
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