Siemens BPX90F, BPX90 Datasheet

BPX 90
BPX 90 F

Silizium-Fotodiode
Silicon Photodiode

BPX 90
BPX 90 F

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90)
und bei 950 nm (BPX 90 F)

● Hohe Fotoempfindlichkeit

● DIL-Plastikbauform mit hoher

Packungsdichte

Anwendungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm
(BPX 90 F)

● High photosensitivity

● DIL plastic package with high packing

density

Applications

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BPX 90 Q62702-P47

feof6014 feo06014

BPX 90 F Q62702-P928

Semiconductor Group 1

01.97

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPX 90
BPX 90 F

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit

t ≤ 3 s)

Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung
Reverse voltage

T

Verlustleistung,

= 25 °C

A

Total power dissipation

Kennwerte

T

= 25 °C

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

230 °C

32 V

100 mW

Wert

Value

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Normlicht/standard light A,

R

T = 2856 K,
V

= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm

R

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

2

BPX 90 BPX 90 F

S

S

λ

S max

45 (≥ 32)

–

–

26 (≥ 16)

nA/Ix

µA

830 950 nm

λ 400 ... 1150 800 ... 1150 nm

A 5.5 5.5 mm

L × B

× W

L
H

1.75 × 3.15 1.75 × 3.15 mm × mm

0.5 0.5 mm

2

Semiconductor Group 2