Siemens BPX83, BPX82, BPX80, BPX89, BPX88 Datasheet
...
BPX 80
BPX 82 ... 89
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
BPX 80
BPX 82 ... 89
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
● Hohe Linearität
● Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem
Epoxy
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Lochstreifenleser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
● High linearität
● Multiple-digit array package of transparent
epoxy
● Available in groups
Applications
● Miniature photointerrupters
● Punched tape reading
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
feo06367 fez06365
Semiconductor Group 1
03.96
BPX 80
BPX 82 ... 89
Typ
Transistoren
Maße “A”
Bestellnummer
pro Zeile
Type
Number of Transistors
Dimensions “A”
Ordering Code
per Array
min max
BPX 82 2 4.5 4.9 Q62702-P21
BPX 83 3 7.0 7.4 Q62702-P25
BPX 84 4 9.6 10 Q62702-P30
BPX 85 5 12.1 12.5 Q62702-P31
BPX 86 6 14.6 15 Q62702-P22
BPX 87 7 17.2 17.6 Q62702-P32
BPX 88 8 19.7 20.1 Q62702-P33
BPX 89 9 22.3 22.7 Q62702-P26
BPX 80 10 24.8 25.2 Q62702-P28
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
300 °C
32 V
50 mA
Semiconductor Group 2
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