Siemens BPX81 Datasheet

BPX 81

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPX 81

feo06021

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 440 nm bis 1070 nm

● Hohe Linearität

● Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

BPX 81 Q62702-P20
BPX 81-2 Q62702-P43-S2
BPX 81-3 Q62702-P43-S3

Features

● Especially suitable for applications from

440 nm to 1070 nm

● High linearity

● One-digit array package of transparent

epoxy

● Available in groups

Applications

● Computer-controlled flashes

● Miniature photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 234

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPX 81

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

230 °C

300 °C

32 V

50 mA

200 mA

T

Verlustleistung,

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

Kennwerte (

T

= 25 °C, λ = 950 nm)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

P

tot

R

thJA

Symbol
Symbol

λ

S max

90 mW

750 K/W

Wert
Value

Einheit
Unit

850 nm

λ 440 ... 1070 nm

A 0.17 mm

2

Semiconductor Group 235