Siemens BPX81 Datasheet
BPX 81
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
BPX 81
feo06021
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
● Hohe Linearität
● Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
● Gruppiert lieferbar
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 81 Q62702-P20
BPX 81-2 Q62702-P43-S2
BPX 81-3 Q62702-P43-S3
Features
● Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
● High linearity
● One-digit array package of transparent
epoxy
● Available in groups
Applications
● Computer-controlled flashes
● Miniature photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 234
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPX 81
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
300 °C
32 V
50 mA
200 mA
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (
T
= 25 °C, λ = 950 nm)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
P
tot
R
thJA
Symbol
Symbol
λ
S max
90 mW
750 K/W
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
λ 440 ... 1070 nm
A 0.17 mm
2
Semiconductor Group 235
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