Siemens BPX63 Datasheet
BPX 63
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom
Silicon Photodiode with Very Low Dark Current
BPX 63
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● Sperrstromarm (typ. 5 pA)
● TO-18, Bodenplatte, mit klarem Epoxy-
Gießharz
Anwendungen
● Belichtungsmesser,
Belichtungsautomaten
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● Low reverse current (typ. 5 pA)
● TO-18, base plate, transparent epoxy
resin lens
Applications
● Exposure meters, automatic exposure
timers
BPX 63 Q62702-P55
fet06012
Semiconductor Group 361
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPX 63
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
T
S
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
7V
200 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V
Dark current
S
λ
S max
10 (≥ 8) nA/Ix
800 nm
λ 350 ... 1100 nm
A 0.97 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±75 Grad
I
R
0.985 × 0.985 mm
0.2 ... 0.8 mm
deg.
5 (≤ 20) pA
2
Semiconductor Group 362
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