Siemens BPX61 Datasheet
BPX 61
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
BPX 61
fmo06011
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● Hermetisch dichte Metallbauform
(ähnlich TO-5)
Anwendungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● IR-Fernsteuerungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 61 Q62702-P25
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● Hermetically sealed metal package
(similar to TO-5)
Application
● Photointerrupters
● IR-remote controls
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 357
10.95
Grenzwerte
Maximum Ratings
BPX 61
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
T
S
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 125 °C
230 °C
32 V
250 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
S
λ
S max
70 (≥ 50) nA/Ix
850 nm
λ 400 ... 1100 nm
A 7.00 mm
L × B
× W
L
H
ϕ±55 Grad
I
R
2.65 × 2.65 mm
1.9 ... 2.3 mm
deg.
2 (≤ 30) nA
2
Semiconductor Group 358
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