Siemens BPX48F, BPX48 Datasheet
BPX 48
BPX 48 F
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
BPX 48
BPX 48 F
feo06638feof6638
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)
und bei 920 nm (BPX 48 F)
● Hohe Fotoempfindlichkeit
● DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
● Doppeldiode mit extrem hoher
Gleichmäβigkeit
Anwendungen
● Nachlaufsteuerung
● Kantenführungen
● Weg- bzw. Winkelabtastungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)
● High photosensitivity
● DIL plastic package with high packing
density
● Double diode with extremely high
homogeneousness
Application
● Follow-up control
● Edge control
● Path and angle scanning
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 348
10.95
BPX 48
BPX 48 F
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 48 Q62702-P17-S1
BPW 48 F Q62702-P305
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
T
Verlustleistung,
= 25 °C
A
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
230 °C
10 V
50 mW
Kennwerte (
T
= 25 °C) für jede Einzeldiode
A
Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
S
T = 2856 K,
V
= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
2
S
λ
S max
λ 400 ... 1150 750 ... 1150 nm
A 1.54 1.54 mm
Wert
Value
Einheit
Unit
BPX 48 BPX 48 F
24 (≥ 15)
–
–
7.5 (≥ 4.0)
nA/Ix
µA
900 920 nm
2
Semiconductor Group 349
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