Siemens BPX48F, BPX48 Datasheet

BPX 48
BPX 48 F

Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode

BPX 48
BPX 48 F

feo06638feof6638

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)
und bei 920 nm (BPX 48 F)

● Hohe Fotoempfindlichkeit

● DIL-Plastikbauform mit hoher

Packungsdichte

● Doppeldiode mit extrem hoher

Gleichmäβigkeit

Anwendungen

● Nachlaufsteuerung

● Kantenführungen

● Weg- bzw. Winkelabtastungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)

● High photosensitivity

● DIL plastic package with high packing

density

● Double diode with extremely high

homogeneousness

Application

● Follow-up control

● Edge control

● Path and angle scanning

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

Semiconductor Group 348

10.95

BPX 48
BPX 48 F

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

BPX 48 Q62702-P17-S1
BPW 48 F Q62702-P305

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit

t ≤ 3 s)

Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung
Reverse voltage

T

Verlustleistung,

= 25 °C

A

Total power dissipation

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

P

tot

Wert
Value

Einheit
Unit

– 40 ... + 80 °C

230 °C

10 V

50 mW

Kennwerte (

T

= 25 °C) für jede Einzeldiode

A

Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Normlicht/standard light A,

R

S

T = 2856 K,
V

= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm

R

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

2

S

λ

S max

λ 400 ... 1150 750 ... 1150 nm

A 1.54 1.54 mm

Wert

Value

Einheit
Unit

BPX 48 BPX 48 F

24 (≥ 15)

–

–

7.5 (≥ 4.0)

nA/Ix

µA

900 920 nm

2

Semiconductor Group 349