Siemens BPX43-5, BPX43-4, BPX43-3, BPX43-2, BPX43 Datasheet

BPX 43

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Features

BPX 43

fmof6019

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1100 nm

● Hohe Linearität

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

BPX43 Q62702-P16
BPX 43-2 Q62702-P16-S2
BPX 43-3 Q62702-P16-S3
BPX 43-4 Q62702-P16-S4

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm

● High linearity

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection suitable up to 125 °C

● Available in groups

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BPX 43-5 Q 62702-P16-S5

Semiconductor Group 223

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPX 43

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 125 °C

260 °C

300 °C

50 V

50 mA

200 mA

Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

V

EB

P

tot

R

thJA

7V

220 mW

450 K/W

Semiconductor Group 224