Siemens BPX38, BPX38-5, BPX38-4, BPX38-3, BPX38-2 Datasheet

BPX 38

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1120 nm

● Hohe Linearität

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C

● Gruppiert lieferbar

1)

Features

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1120 nm

● High linearity

● Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection, suitable up to 125 °C

● Available in groups

BPX 38

fmo06018

1)

Anwendungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Applications

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

BPX 38 Q62702-P15
BPX 38-2 Q62702-P15-S2
BPX 38-3 Q62702-P15-S3
BPX 38-4 Q62702-P15-S4
BPX 38-5

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

1)

Q 62702-P15-S5

Semiconductor Group 217

10.95

Grenzwerte
Maximum Ratings

BPX 38

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

Kollektorstrom
Collector current

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

T

S

V

CE

I

C

I

CS

Wert
Value

Einheit
Unit

– 55 ... + 125 °C

260 °C

300 °C

50 V

50 mA

200 mA

Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage

Verlustleistung,

T

= 25 °C

A

Total power dissipation
Wärmewiderstand

Thermal resistance

V

EB

P

tot

R

thJA

7V

220 mW

450 K/W

Semiconductor Group 218