2fach-Silizium-PIN Fotodiode in SMT
2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT
KOM 2125
KOM 2125 FA
KOM 2125 KOM 2125 FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm und bei 880 nm
(KOM 2125 FA)
• Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
• geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
• SMT-fähig
Anwendungen
• Nachlaufsteuerungen
• Kantenführung
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
KOM 2125 Q62702-K0047
KOM 2125 FA Q62702-P5313
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm and of 880 nm
(KOM 2125 FA)
• Short switching time (typ. 25 ns)
• Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
• Suitable for SMT
Applications
• Follow-up controls
• Edge drives
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2001-02-21 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
KOM 2125, KOM 2125 FA
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
T
Kennwerte (
Characteristics (
= 25 °C)
A
T
= 25 °C)
A
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
V
= 5 V, Normlicht/standard light A
R
T = 2856 K, E
V
= 5 V, λ = 870 nm,Ee = 1mW/cm2
R
= 1000 Ix
v
Diode A
Diode B
Diode A
Diode B
Symbol
Symbol
T
; T
op
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
I
P
I
P
Wert
Value
stg
– 40 … +80 °C
60 V
150 mW
Wert
Value
KOM 2125 KOM 2125 FA
40 (> 30)
100 (> 75)
–
–
–
–
26 (> 20)
70 (> 50)
Einheit
Unit
Einheit
Unit
µA
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche Diode A
Radiant sensitive area Diode B
Abmessung der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Diode A
Diode B
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
= 10 V Diode A
R
Dark current Diode B
λ
S max
850 900 nm
λ 400 … 1100 750 ... 1100 nm
A
L × B
L
× W
H
4
10
2 × 2
2 × 5
0.3 0.3 mm
4
10
2 × 2
2 × 5
mm
mm × mm
mm × mm
ϕ±60 ± 60 Grad
deg.
I
R
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
nA
2
2001-02-21 2