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KOM 2125
NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT
NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT
KOM 2125
feo06860
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
● geeignet für Vapor-Phase Löten und
IR-Reflow-Löten
● SMT-fähig
Anwendungen
● Nachlaufsteuerungen
● Kantenführung
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
● Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
● Suitable for SMT
Applications
● Follow-up controls
● Edge drives
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
KOM 2125 Q62702-K0047
Semiconductor Group 1
01.97
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Grenzwerte
Maximum Ratings
KOM 2125
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung,
= 25 °C
A
P
tot
T
Total power dissipation
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
= 5 V; Diode A
R
Symbol
Symbol
S
Spectral sensitivity Diode B
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
Wavelength of max. sensitivity
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
60 V
150 mW
Wert
Value
40 (≥ 30)
Einheit
Unit
nA/Ix
100 (≥ 75)
850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche Diode A
Radiant sensitive area Diode B
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V Diode A
Dark current Diode B
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
λ 400 ... 1100 nm
A 4
mm
10
L × B
× W
L
H
2 × 2, 2 × 5mm×mm
0.3 mm
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
5 (≤ 30)
nA
10 (≤ 30)
S
λ
η 0.90
0.62 A/W
Electrons
Photon
2
Semiconductor Group 2
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KOM 2125
Kennwerte (
T
= 25 °C, Normlicht A, 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Symbol
Symbol
V
O
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
= 1000 Ix Diode A
v
I
SC
E
Short-circuit current Diode B
Anstiegszeit/Abfallzeit Diode A
t
r,tf
Rise and fall time Diode B
R
= 50 Ω; VR = 5 V;
L
λ = 850 nm; IP = 800 µA
Durchlaßspannung,
I
= 100 mA; E = 0
F
V
F
Forward voltage
Kapazität Diode A
C
0
Capacitance Diode B
V
= 0 V; f = 1 MHz; E = 0
R
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
V
O
O
I
P
P
TC
TC
V
I
Rauschäquivalente
Strahlungsleistung Diode A
NEP 6.4 × 10
Noise equivalent power Diode B
V
= 10 V
R
V
Nachweisgrenze,
= 10 V Diode A
R
D* 3.1 × 10
Detection limit Diode B
Wert
Value
Einheit
Unit
350 (≥ 300) mV
38
µA
95
18
ns
25
1.0 V
40
pF
100
– 2.6 mV/K
0.18 %/K
9.1 × 10
3.5 × 10
– 14
– 14
12
12
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 3
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KOM 2125
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current, I
normalized to 10 V/25
= f (VR), E = 0
R
o
C
Photocurrent IP = f (Ev), VR= 5 V
Open-circuit voltage V
= f (Ev)
O
Capacitance
C = f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current I
V
= 10 V, E = 0, normalized to TA = 25oC
R
= f (TA),
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 4
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