ON Semiconductor BUV48 Datasheet
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUV48/D
The BUV48/BUV48A transistors are designed for high–voltage, high–speed, power
switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
line–operated switchmode applications such as:
• Switching Regulators
• Inverters
• Solenoid and Relay Drivers
• Motor Controls
• Deflection Circuits
Fast Turn–Off Times
60 ns Inductive Fall Time — 25_C (Typ)
120 ns Inductive Crossover Time — 25_C (Typ)
Operating Temperature Range –65 to +175_C
100_C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltage
Leakage Currents (125_C)
15 AMPERES
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
400 AND 450 VOLTS
V
(BR)CEO
850–1000 VOLTS
V
(BR)CEX
150 WATTS
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage (VBE = –1.5 V)
Emitter Base Voltage
Collector Current — Continuous
ОООООООООООООООООООО
— Peak (1)
— Overload
Base Current — Continuous
ОООООООООООООООООООО
— Peak (1)
Total Power Dissipation — TC = 25_C
ОООООООООООООООООООО
— TC = 100_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle v 10%.
Symbol
V
CEO(sus)
V
CEX
V
EB
I
C
I
ÎÎ
CM
I
OI
I
B
ÎÎ
I
BM
P
D
ÎÎ
TJ, T
Symbol
R
θJC
T
L
BUV48
400
850
ОООООО
ОООООО
ОООООО
stg
–65 to +175
7
15
30
60
5
20
150
75
1
Max
1
275
BUV48A
450
1000
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
ÎÎ
Adc
ÎÎ
Watts
ÎÎ
W/_C
_
C
Unit
_
C/W
_
C
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
REV 8
Motorola, Inc. 1996
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
(I
C
200 mA, I
B
mH BUV48
Î
400
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(V
CE
Rated V
CEX
R
BE
Ω)T
C
25_C
0.5
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
I
10 A, I
2 A BUV48
C
,B,
T
V
300 V
(T
25_C)
I
B1
A
IB1 1.6 A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
Characteristic
= 25_C unless otherwise noted)
C
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 1)
=
=
ОООООООООООООООООО
=
=
= 0) L = 25
BUV48A
Collector Cutoff Current
(V
= Rated Value, V
CEX
ОООООООООООООООООО
(V
= Rated Value, V
CEX
= 1.5 Vdc)
BE(off)
= 1.5 Vdc, TC = 125_C)
BE(off)
Collector Cutoff Current
=
=
=
,
= 10
=
=
_
TC = 125_C
Emitter Cutoff Current
ОООООООООООООООООО
(VEB = 5 Vdc, IC = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 50 mA – IC = 0)
ОООООООООООООООООО
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎ
I
CEX
ÎÎ
I
CER
450
—
ÎÎ
—
—
—
—
I
EBO
ÎÎ
V
(BR)EBO
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
7
—
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
—
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
—
ÎÎ
0.2
ÎÎ
2
3
0.1
ÎÎ
—
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
mAdc
ÎÎ
mAdc
mAdc
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
ОООООООООООООООООО
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased
ОООООООООООООООООО
ON CHARACTERISTICS (1)
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
DC Current Gain
ОООООООООООООООООО
(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) BUV48
(IC = 8 Adc, VCE = 5 Vdc) BUV48A
ОООООООООООООООООО
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 15 Adc, IB = 3 Adc) BUV48
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C)
ОООООООООООООООООО
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 12 Adc, IB = 2.4 Adc) BUV48A
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C)
ОООООООООООООООООО
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc) BUV48
ОООООООООООООООООО
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc, TC = 100_C)
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc) BUV48A
ОООООООООООООООООО
(IC = 8 Adc, IB = 1.6 Adc, TC = 100_C)
I
S/b
ÎÎ
RBSOA
ÎÎ
h
FE
ÎÎ
ÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
ОООООООО
ОООООООО
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
See Figure 12
See Figure 13
8
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
1.5
ÎÎ
5
2
ÎÎ
1.5
ÎÎ
5
2
ÎÎ
1.6
ÎÎ
1.6
1.6
ÎÎ
1.6
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
ОООООООООООООООООО
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f
= 1 MHz)
test
C
ob
ÎÎ
—
ÎÎ
—
ÎÎ
350
ÎÎ
pF
ÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS
Resistive Load (Table 1)
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
=
C
IC = 8 A, IB, = 1.6 A BUV48A
Duty Cycle v 2%, V
= 30 µs,
p
, =
B
= 5 V
BE(off)
=
CC
t
d
t
r
t
s
t
f
—
—
—
—
0.1
0.4
1.3
0.2
0.2
0.7
2
0.4
µs
Inductive Load, Clamped (Table 1)
Storage Time
ООООО
Fall Time
ООООО
Storage Time
ООООО
Crossover Time
ООООО
Fall Time
ООООО
ОООООООО
IC = 10 A BUV48
I
= 2 A
= 2
ОООООООО
ОООООООО
IC = 8 A BUV48A
IB1 = 1.6 A
ОООООООО
ОООООООО
t
ÎÎÎÎ_ÎÎ
=
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(TC = 100_C)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
sv
t
fi
ÎÎ
t
sv
ÎÎ
t
c
ÎÎ
t
fi
ÎÎ
ÎΗÎÎ
ÎΗÎÎ
ÎΗÎÎ
ÎΗÎÎ
ÎΗÎÎ
1.3
0.06
1.5
0.3
0.17
ÎΗÎÎ
ÎΗÎÎ
2.5
ÎÎ
0.6
ÎÎ
0.35
ÎÎ
µs
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle v 2%.
Vcl = 300 V, V
= 5 V, Lc = 180 µH
BE(off)
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
DC CHARACTERISTICS
, DC CURRENT GAIN
FE
h
0.7
0.5
50
30
20
10
7
5
3
2
1
5
3
2
1
VCE = 5 V
1
90%
10%
2 3 5 8 10 20 30 50
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain
βf = 5
90%
10%
, COLLECTOR–EMITTER VOL TAGE (VOLTS)
CE
V
10
0.5
0.3
0.1
0.7
0.5
5
3
1
0.1
7.5 A
IC = 5 A
TC = 25°C
0.3 0.5
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10 A 15 A
Figure 2. Collector Saturation Region
βf = 5
2
1
TJ = 25°C
1234
TJ = 100°C
0.3
0.2
, COLLECTOR–EMITTER VOL TAGE (VOLTS)
CE
V
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Collector–Emitter Saturation V oltage
4
10
VCE = 250 V
3
µ
10
TJ = 150°C
2
10
125°C
100°C
1
10
, COLLECTOR CURRENT ( A)
0
C
10
I
–1
10
–0.4
REVERSE
°
C
75
25°C
–0.2 0 0.2 0.4 0.6
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
FORWARD
Figure 5. Collector Cutoff Region
, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
BE
V
C, CAPACITANCE (pF)
0.3
10 k
1 k
100
10
0.1
1
0.3 3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 4. Base–Emitter V oltage
C
ib
C
ob
TJ = 25°C
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance
1011 2 3 7 10 5020 305
100 1000
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3
Loading...