ON Semiconductor BU323Z Datasheet
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
High Voltage Autoprotected
The BU323Z is a planar, monolithic, high–voltage power Darlington with a built–in
active zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped,
inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor
Control, and exhibit the following main features:
• Integrated High–Voltage Active Clamp
• Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed
Over the –40°C to +125°C Temperature Range
• Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live
Ignition Circuit
• High DC Current Gain/Low Saturation Voltages
Specified Over Full Temperature Range
• Design Guarantees Operation in SOA at All Times
• Offered in Plastic SOT–93/TO–218 Type or
TO–220 Packages
360 V
CLAMP
Order this document
by BU323Z/D
AUTOPROTECTED
DARLINGTON
10 AMPERES
360–450 VOLTS CLAMP
150 WATTS
CASE 340D–02
SOT–93/TO–218 TYPE
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Sustaining V oltage
Collector–Emitter Voltage
Collector Current — Continuous
ОООООООООООООООО
— Peak
Base Current — Continuous
ОООООООООООООООО
— Peak
Total Power Dissipation (TC = 25_C)
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
ОООООООООООООООООООООООООООООООО
ОООООООООООООООО
Thermal Resistance, Junction to Case
ОООООООООООООООО
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
ОООООООООООООООО
1/8″ from Case for 5 Seconds
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.
Characteristic
Symbol
V
CEO
V
EBO
I
C
ООООО
I
CM
I
B
I
BM
ООООО
P
D
TJ, T
stg
Symbol
ООООО
R
θJC
ООООО
T
ООООО
L
Value
350
6.0
ООООООО
10
20
3.0
ООООООО
6.0
150
1.0
–65 to +175
ООООООО
ООООООО
ООООООО
Max
1.0
260
Unit
Vdc
Vdc
Adc
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎ
Watts
W/_C
_
C
Unit
ÎÎÎ
_
C/W
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎ
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 8
Motorola, Inc. 1996
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1
BU323Z
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(I
C
I
B1
() ()
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
= 25_C unless otherwise noted)
C
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS (1)
Collector–Emitter Clamping Voltage (IC = 7.0 A)
(TC = –40°C to +125°C)
ОООООООООООООООООО
Collector–Emitter Cutoff Current
(VCE = 200 V, IB = 0)
ОООООООООООООООООО
Emitter–Base Leakage Current
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS (1)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8.0 Adc, IB = 100 mAdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc)
ОООООООООООООООООО
Collector–Emitter Saturation Voltage
ОООООООООООООООООО
(IC = 7.0 Adc, IB = 70 mAdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 8.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 10 Adc, IB = 0.25 Adc)
ОООООООООООООООООО
(TC = 125°C)
(TC = 125°C)
Base–Emitter On Voltage
(IC = 5.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) (TC = –40°C to +125°C)
ОООООООООООООООООО
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
Diode Forward Voltage Drop
(IF = 10 Adc)
ОООООООООООООООООО
DC Current Gain
(IC = 6.5 Adc, VCE = 1.5 Vdc) (TC = –40°C to +125°C)
ОООООООООООООООООО
(IC = 5.0 Adc, VCE = 4.6 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ОООООООООООООООООО
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance
ОООООООООООООООООО
(VEB = 6.0 V)
CLAMPING ENERGY (see notes)
Repetitive Non–Destructive Energy Dissipated at turn–off:
(IC = 7.0 A, L = 8.0 mH, RBE = 100 Ω) (see Figures 2 and 4)
ОООООООООООООООООО
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (L = 10 mH)
Fall Time
Storage Time
Cross–over Time
I
= 6.5 A I = 45 mA
= 6.5 A,
V
BE(off)
VCC = 14 V, VZ = 300 V)
= 0, R
= 45 mA,
BE(off)
= 0,
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.
Symbol
V
CLAMP
ÎÎ
I
CEO
ÎÎ
I
EBO
V
BE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
BE(on)
ÎÎ
V
F
ÎÎ
h
FE
ÎÎ
f
T
ÎÎ
C
ob
C
ib
ÎÎ
W
CLAMP
ÎÎ
t
fi
t
si
t
c
Min
350
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
1.1
ÎÎ
1.3
—
ÎÎ
150
ÎÎ
500
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
200
ÎÎ
—
—
—
Typ
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
—
ÎÎ
—
ÎÎ
625
10
1.7
Max
450
ÎÎ
100
ÎÎ
50
2.2
ÎÎ
2.5
ÎÎ
ÎÎ
1.6
1.8
ÎÎ
1.8
ÎÎ
2.1
1.7
ÎÎ
2.1
ÎÎ
2.3
2.5
ÎÎ
—
ÎÎ
3400
2.0
ÎÎ
200
550
ÎÎ
—
ÎÎ
—
30
—
Unit
Vdc
ÎÎ
µAdc
ÎÎ
mAdc
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
—
ÎÎ
MHz
ÎÎ
pF
pF
ÎÎ
mJ
ÎÎ
ns
µs
µs
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Loading...