ON Semiconductor BU323AP Datasheet
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
ОООООООО
ÎÎÎÎ
Î
Î
ОООООООО
Î
ÎÎÎÎ
Î
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,
switching regulator and motor control applications.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CER(sus)
= 475 Vdc
• 125 Watts Capability at 50 Volts
• VCE Sat Specified at –40_C = 2.0 V Max. at IC = 6.0 A
• Photoglass Passivation for Reliability and Stability
BASE
≈
1 k≈30
COLLECTOR
Order this document
by BU323AP/D
DARLINGTON
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
400 VOL TS
125 WATTS
EMITTER
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
ОООООООООООООООО
— Peak (1)
Base Current — Continuous
ОООООООООООООООО
— Peak (1)
Total Power Dissipation — TC = 25_C
ОООООООООООООООО
Derate above 25_C
— TC = 100_C
Operating and Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
ОООООООООООООООО
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle x 10%.
Symbol
V
CEO(sus)
V
CEV
V
EB
I
C
ООООО
I
CM
I
B
I
BM
ООООО
P
D
ООООО
TJ, T
stg
Symbol
R
θJC
T
L
ООООО
Value
400
475
6.0
10
ООООООО
16
3.0
ООООООО
125
ООООООО
100
1.0
–65 to +200
Max
1.0
275
ООООООО
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎ
Watts
Watts
ÎÎÎ
W/_C
_
C
Unit
_
C/W
_
C
ÎÎÎ
REV 8
Motorola, Inc. 1996
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–1
BU323AP
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
(
CC
,
C
,
Î
Î
Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
= 25_C unless otherwise noted)
C
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
L = 10 mH
ОООООООООООООООООО
(IC = 200 mAdc, IB = 0, V
ОООООООООООООООООО
clamp
= Rated V
CEO
)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
(IC = 3 A, RBE = 100 Ohms, L = 500 µH)
ОООООООООООООООООО
Unclamped
Collector Cutoff Current (Rated V
Collector Cutoff Current (Rated V
, RBE = 100 Ohms)
CER
, IE = 0)
CBO
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
1
DC Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 6 Vdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 6 Adc, VCE = 6 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
ОООООООООООООООООО
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 60 mAdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc
ОООООООООООООООООО
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40_C)
Base–Emitter Saturation Voltage
ОООООООООООООООООО
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc)
ОООООООООООООООООО
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40_C)
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f
= 100 kHz)
test
SWITCHING CHARACTERISTICS
Storage Time
Fall Time
(VCC = 12 Vdc, IC = 6 Adc,
IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Fig. 2
FUNCTIONAL TESTS
Second Breakdown Collector Current with
Base–Forward Biased
ОООООООООООООООООО
Pulsed Energy Test (See Figure 12)
1
Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
Symbol
V
CEO(sus)
ÎÎ
ÎÎ
V
CER(sus)
ÎÎ
I
CER
I
CBO
I
EBO
h
FE
ÎÎ
ÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
V
BE(sat)
ÎÎ
ÎÎ
V
BE(on)
V
C
ob
t
s
t
f
I
S/B
ÎÎ
IC2L/2
Min
ÎÎ
400
ÎÎ
ÎÎ
475
300
ÎÎ
150
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
f
ÎÎÎÎÎ
550
50
Typ
Max
Unit
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
550
ÎÎ
350
150
ÎÎ
1
1
40
ÎÎ
2000
ÎÎ
mAdc
mAdc
mAdc
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
1.5
ÎÎ
1.7
2.7
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.2
3
ÎÎ
Vdc
ÎÎ
ÎÎ
2.4
2
165
7.5
5.2
2.5
3.5
350
15
15
Vdc
Vdc
pF
µs
µs
See
Figure 10
ÎÎÎÎÎ
mJ
0 V
* Adjust t1 such that
* IC reaches Required
* value.
3–2
f
= 200 Hz
20 ms
test
VCC = 16 Vdc
L
*
t
1
470
47
BC337
1N4001
V
CEO
V
CER
B
TUT
≈
1K≈ 30
100
UNCLAMPED
CLAMPED
C
*
E
V
clamp
PULSE WIDTH = 1 ms
40
1N4001
51 100
≈
15 Vdc
0 Vdc
B
≈
1K≈ 30
VCC = 12 Vdc
IB = 0.3 Adc
Figure 1. Sustaining V oltage Test Circuit Figure 2. Switching Times Test Circuit
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
2
Ω
/20 W
IC = 6 Adc
C
TUT
E
Loading...