NTE NTE5547, NTE5545, NTE5544, NTE5543, NTE5541 Datasheet
...
NTE5541 thru NTE5548
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
35 Amp
Description:
The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case
designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temperature, motor, light and welder controls.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = +100°C) V
DRM
NTE5541 50V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5542 100V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5543 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5544 300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5545 400V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5546 500V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5547 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5548 800V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100°C) V
RRM
NTE5541 50V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5542 100V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5543 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5544 300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5545 400V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5546 500V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5547 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5548 800V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On–State Current (TC = +75°C), I
(RMS)
35A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), I
TSM
300A. . . . . . .
Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I
GTM
20A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ I
GTM
for 3µs Max), P
GM
20W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
500mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
oper
–40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
–40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
1.4°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (At “Maximum Ratings” and Specified Case Temperatures)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Peak Off–State Current I
DRM
,
I
RRM
V
DRM
& V
RRM
= Max Rating,
T
J
= +100°C, Gate Open
– – 2.0 mA
Maximum On–State Voltage (Peak) I
HO
T
C
= +25°C – – 50 mA
DC Gate Trigger Current I
GT
Anode Voltage = 12V, RL = 30Ω,
T
C
= +25°C
– – 30 mA
DC Gate Trigger Voltage V
GT
Anode Voltage = 12V, RL = 30Ω,
T
C
= +25°C
– – 2.0 V
Gate Controlled Turn–On Time t
gt
IGT = 150mA – 2.5 – µs
Critical Rate of Rise of
Off–State Voltage
dv/dt
(Critical)
Gate Open, T
C
= +100°C – 100 – V/µs
.200 (5.08) Max
.562
(14.28)
Max
1.193
(30.33)
Max
.453
(11.5)
Max
CathodeGate
Anode
1/4–28 UNF–2A
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