NEC Electronics Inc MC-4516CA726EF-A10, MC-4516CA726EF-A80, MC-4516CA726PF-A10, MC-4516CA726PF-A80 Datasheet

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CA726

16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4516CA726 is a 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 9 pieces of 128M SDRAM: μPD45128841 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

16,777,216 words by 72 bits organization (ECC Type)

Clock frequency and access time from CLK

 

Part number

/CAS latency

Clock frequency

Access time from CLK

 

 

 

(MAX.)

(MAX.)

 

 

 

 

 

 

MC-4516CA726EF-A80

CL = 3

125 MHz

6 ns

 

 

CL = 2

100 MHz

6 ns

 

 

 

 

 

 

MC-4516CA726EF-A10

CL = 3

100 MHz

6 ns

 

 

CL = 2

77 MHz

7 ns

 

 

 

 

 

 

MC-4516CA726PF-A80

CL = 3

125 MHz

6 ns

 

 

CL = 2

100 MHz

6 ns

 

MC-4516CA726PF-A10

CL = 3

100 MHz

6 ns

 

 

 

 

 

 

 

CL = 2

77 MHz

7 ns

Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

Pulsed interface

Possible to assert random column address in every cycle

Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

Programmable /CAS latency (2, 3)

Automatic precharge and controlled precharge

CBR (Auto) refresh and self refresh

All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

LVTTL compatible

4,096 refresh cycles/64 ms

Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

Unbuffered type

Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information.

Document No. M14333EJ2V0DS00 (2nd edition) Date Published January 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark • shows major revised points.

© 1999

 

 

 

 

MC-4516CA726

 

Ordering Information

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Part number

Clock frequency

Package

Mounted devices

 

 

 

MHz (MAX.)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MC-4516CA726EF-A80

125 MHz

168-pin Dual In-line Memory Module

9 pieces of μPD45128841G5 (Rev. E)

 

 

 

 

 

 

 

 

MC-4516CA726EF-A10

100 MHz

(Socket Type)

(10.16 mm (400) TSOP (II))

 

 

MC-4516CA726PF-A80

125 MHz

Edge connector : Gold plated

9 pieces of μPD45128841G5 (Rev. P)

 

 

MC-4516CA726PF-A10

100 MHz

34.93 mm height

(10.16 mm (400) TSOP (II))

 

 

 

 

 

 

2

Data Sheet M14333EJ2V0DS00

NEC Electronics Inc MC-4516CA726EF-A10, MC-4516CA726EF-A80, MC-4516CA726PF-A10, MC-4516CA726PF-A80 Datasheet

MC-4516CA726

Pin Configuration

168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

/xxx indicates active low signal.

85

VSS

VSS

1

86

DQ32

DQ0

2

87

DQ33

DQ1

3

88

DQ34

DQ2

4

89

DQ35

DQ3

5

90

Vcc

Vcc

6

91

DQ36

DQ4

7

92

DQ37

DQ5

8

93

DQ38

DQ6

9

94

DQ39

DQ7

10

95

DQ40

DQ8

11

96

VSS

VSS

12

97

DQ41

DQ9

13

98

DQ42

DQ10

14

99

DQ43

DQ11

15

100

DQ44

DQ12

16

101

DQ45

DQ13

17

102

Vcc

Vcc

18

103

DQ46

DQ14

19

104

DQ47

DQ15

20

105

CB4

CB0

21

106

CB5

CB1

22

107

VSS

VSS

23

108

NC

NC

24

109

NC

NC

25

110

Vcc

Vcc

26

111

/CAS

/WE

27

112

DQMB4

DQMB0

28

113

DQMB5

DQMB1

29

114

NC

/CS0

30

115

/RAS

NC

31

116

VSS

VSS

32

117

A1

A0

33

118

A3

A2

34

119

A5

A4

35

120

A7

A6

36

121

A9

A8

37

122

BA0 (A13)

A10

38

123

A11

BA1 (A12)

39

124

Vcc

Vcc

40

125

CLK1

Vcc

41

126

NC

CLK0

42

127

VSS

VSS

43

128

CKE0

NC

44

129

NC

/CS2

45

130

DQMB6

DQMB2

46

131

DQMB7

DQMB3

47

132

NC

NC

48

133

Vcc

Vcc

49

134

NC

NC

50

135

NC

NC

51

136

CB6

CB2

52

137

CB7

CB3

53

138

VSS

VSS

54

139

DQ48

DQ16

55

140

DQ49

DQ17

56

141

DQ50

DQ18

57

142

DQ51

DQ19

58

143

Vcc

Vcc

59

144

DQ52

DQ20

60

145

NC

NC

61

146

NC

NC

62

147

NC

NC

63

148

VSS

VSS

64

149

DQ53

DQ21

65

150

DQ54

DQ22

66

151

DQ55

DQ23

67

152

VSS

VSS

68

153

DQ56

DQ24

69

154

DQ57

DQ25

70

155

DQ58

DQ26

71

156

DQ59

DQ27

72

157

Vcc

Vcc

73

158

DQ60

DQ28

74

159

DQ61

DQ29

75

160

DQ62

DQ30

76

161

DQ63

DQ31

77

162

VSS

VSS

78

163

CLK3

CLK2

79

164

NC

NC

80

165

SA0

WP

81

166

SA1

SDA

82

167

SA2

SCL

83

168

Vcc

Vcc

84

A0 - A11

: Address Inputs

[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]

BA0 (A13),

 

BA1 (A12)

: SDRAM Bank Select

DQ0 - DQ63,

 

CB0 - CB7

: Data Inputs/Outputs

CLK0 - CLK3

: Clock Input

CKE0

: Clock Enable Input

/CS0, /CS2

: Chip Select Input

/RAS

: Row Address Strobe

/CAS

: Column Address Strobe

/WE

: Write Enable

DQMB0 - DQMB7: DQ Mask Enable

SA0 - SA2

: Address Input for EEPROM

SDA

: Serial Data I/O for PD

SCL

: Clock Input for PD

VCC

: Power Supply

VSS

: Ground

WP

: Write Protect

NC

: No Connection

Data Sheet M14333EJ2V0DS00

3

MC-4516CA726

Block Diagram

/WE

 

 

 

 

/CS0

 

 

 

 

DQMB0

 

 

 

 

DQ 0

DQ 7 DQM

/CS

/WE

DQ 1

DQ 6

 

 

 

DQ 2

DQ 5

 

 

 

DQ 3

DQ 4

D0

 

 

DQ 4

DQ 3

 

 

 

 

 

DQ 5

DQ 2

 

 

 

DQ 6

DQ 1

 

 

 

DQ 7

DQ 0

 

 

 

DQMB1

 

 

 

 

DQ 8

DQ 7 DQM

/CS

/WE

DQ 9

DQ 6

 

 

 

DQ 10

DQ 5

 

 

 

DQ 11

DQ 4

D1

 

 

DQ 12

DQ 3

 

 

 

 

 

DQ 13

DQ 2

 

 

 

DQ 14

DQ 1

 

 

 

DQ 15

DQ 0

 

 

 

CB 0

DQ 4 DQM

/CS

/WE

CB 1

DQ 7

 

 

 

CB 2

DQ 0

 

 

 

CB 3

DQ 2

D2

 

 

CB 4

DQ 6

 

 

 

 

 

CB 5

DQ 5

 

 

 

CB 6

DQ 3

 

 

 

CB 7

DQ 1

 

 

 

DQMB4

 

 

 

 

DQ 32

DQ 4 DQM

/CS

/WE

DQ 33

DQ 7

 

 

 

DQ 34

DQ 6

 

 

 

DQ 35

DQ 5

D5

 

 

DQ 36

DQ 3

 

 

 

 

 

DQ 37

DQ 2

 

 

 

DQ 38

DQ 1

 

 

 

DQ 39

DQ 0

 

 

 

DQMB5

 

 

 

 

DQ 40

DQ 5 DQM

/CS

/WE

DQ 41

DQ 7

 

 

 

DQ 42

DQ 6

 

 

 

DQ 43

DQ 4

D6

 

 

DQ 44

DQ 3

 

 

 

 

 

DQ 45

DQ 2

 

 

 

DQ 46

DQ 1

 

 

 

DQ 47

DQ 0

 

 

 

/CS2

DQMB2

DQ 16

DQ 17

DQ 18

DQ 19

DQ 20

DQ 21

DQ 22

DQ 23

DQMB3

DQ 24

DQ 25

DQ 26

DQ 27

DQ 28

DQ 29

DQ 30

DQ 31

DQMB6

DQ 48

DQ 49

DQ 50

DQ 51

DQ 52

DQ 53

DQ 54

DQ 55

DQMB7

DQ 56

DQ 57

DQ 58

DQ 59

DQ 60

DQ 61

DQ 62

DQ 63

CLK0

DQ 7 DQM

/CS

/WE

DQ 6

 

 

 

 

 

DQ 5

 

 

 

 

 

DQ 4

D3

 

 

DQ 3

 

 

 

 

 

 

 

DQ 2

 

 

 

 

 

DQ 1

 

 

 

 

 

DQ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DQ 4 DQM

 

/CS

/WE

DQ 7

 

 

 

 

 

DQ 6

 

 

 

 

 

DQ 5

D4

 

 

DQ 3

 

 

 

 

 

 

 

DQ 2

 

 

 

 

 

DQ 1

 

 

 

 

 

DQ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DQ 7 DQM

 

/CS

/WE

DQ 6

 

 

 

 

 

DQ 5

 

 

 

 

 

DQ 4

D7

 

 

DQ 3

 

 

 

 

 

 

 

DQ 2

 

 

 

 

 

DQ 1

 

 

 

 

 

DQ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DQ 7 DQM

/CS

/WE

DQ 6

 

 

 

 

 

DQ 5

 

 

 

 

 

DQ 4

D8

DQ 3

 

DQ 2

 

DQ 1

 

DQ 0

 

CLK : D0, D1, D2, D5, D6

CLK2 CLK : D3, D4, D7, D8

3.3 pF

CLK1, CLK3

10 pF

A0 - A11 A0 - A11 : D0 - D8

BA0 A13 : D0 - D8

BA1 A12 : D0 - D8

/RAS /RAS : D0 - D8

/CAS /CAS : D0 - D8

CKE0 CKE : D0 - D8

SERIAL PD

VCC

 

D0 - D8

 

 

 

SDA

 

C

 

 

 

 

 

 

SCL

 

 

 

VSS

 

D0 - D8

 

 

WP

 

A0

A1

A2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

47 kΩ

 

 

 

SA0

SA1

SA2

 

Remarks 1. The value of all resistors is 10 Ω except WP.

2. D0 - D8: μPD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)

4

Data Sheet M14333EJ2V0DS00

MC-4516CA726

Electrical Specifications

All voltages are referenced to VSS (GND).

After power up, wait more than 100 μs and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Condition

Rating

Unit

Voltage on power supply pin relative to GND

VCC

 

–0.5 to +4.6

V

 

 

 

 

 

Voltage on input pin relative to GND

VT

 

–0.5 to +4.6

V

 

 

 

 

 

Short circuit output current

IO

 

50

mA

Power dissipation

PD

 

9

W

 

 

 

 

 

Operating ambient temperature

TA

 

0 to +70

°C

 

 

 

 

 

Storage temperature

Tstg

 

–55 to +125

°C

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.

Recommended Operating Conditions

Parameter

Symbol

Condition

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Supply voltage

VCC

 

3.0

3.3

3.6

V

 

 

 

 

 

 

 

High level input voltage

VIH

 

2.0

 

VCC + 0.3

V

 

 

 

 

 

 

 

Low level input voltage

VIL

 

0.3

 

+0.8

V

Operating ambient temperature

TA

 

0

 

70

°C

 

 

 

 

 

 

 

Capacitance (TA = 25 °C, f = 1 MHz)

Parameter

Symbol

Test condition

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Input capacitance

CI1

A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12), /RAS,

40

 

66

pF

 

 

/CAS, /WE

 

 

 

 

 

CI2

CLK0, CLK2

24

 

40

 

 

CI3

CKE0

34

 

56

 

 

CI4

/CS0, /CS2

17

 

33

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CI5

DQMB0 - DQMB7

7

 

17

 

Data input/output capacitance

CI/O

DQ0 - DQ63, CB0 - CB7

7

 

13

pF

Data Sheet M14333EJ2V0DS00

5

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