DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4532DA727
32M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
REGISTERED TYPE
Description
The MC-4532DA727 is an 33,554,432 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 18 pieces of
128M SDRAM:
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• 33,554,432 words by 72 bits organization (ECC type)
• Clock frequency and access time from CLK.
µ
PD45128441 are assembled.
Part number /CAS latency Clock frequency Access time from CLK
(MAX.) (MAX.)
MC-4532DA727EF-A75 CL = 3 133 MHz 5.4 ns
★
★
★
MC-4532DA727PF-A75 CL = 3 133 MHz 5.4 ns
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
• Pulsed interface
• Possible to assert random column address in every cycle
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
• Programmable /CAS latency (2, 3)
• Automatic precharge and controlled precharge
• CBR (Auto) refresh and self refresh
• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor
• Single 3.3 V ±0.3 V power supply
• LVTTL compatible
• 4,096 refresh cycles/64 ms
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
• Registered type
• Serial PD
CL = 2 100 MHz 6.0 ns
CL = 2 100 MHz 6.0 ns
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. M14210EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
★★★★
©
1999
MC-4532DA727
Ordering Information
Part number
MC-4532DA727EF-A75 133 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module
★
MC-4532DA727PF-A75 Edge connector: Gold plated
Clock frequency
MHz (MAX.)
(Socket Type)
43.18 mm height
Package Mounted devices
18 pieces of µPD45128441G5 (Rev. E)
(10.16mm (400) TSOP (II ))
18 pieces of µPD45128441G5 (Rev. P)
(10.16mm (400) TSOP (II ))
2
Data Sheet M14210EJ3V0DS00
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
MC-4532DA727
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
SS
V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
SS
V
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
CB4
CB5
SS
V
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS
SS
V
A1
A3
A5
A7
A9
(A13)
BA0
A11
Vcc
CLK1
NC
SS
V
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
CB6
CB7
SS
V
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
REGE
SS
V
DQ53
DQ54
DQ55
SS
V
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
SS
V
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
A10
BA1(A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
CB2
CB3
V
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
NC
V
DQ21
DQ22
DQ23
V
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
SS
SS
SS
SS
A0
A2
A4
A6
A8
SS
SS
SS
SS
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9, A11]
(A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select
BA0
-
DQ63, CB0 - CB7: Data Inputs/Outputs
DQ0
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0 : Clock Enable Input
WP : Write Protect
/CS0, /CS2 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQ MB 0 - D Q MB 7 : DQ Mask Enable
SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
CC
V
SS
V
: Power Supply
: Ground
REGE : Register / Buffer Enable
NC : No Connection
/xxx indica tes active low signal.
Data Sheet M14210EJ3V0DS00
3
Block Diagram
MC-4532DA727
/RCS0
RDQMB0
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
RDQMB1
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 15
DQ 14
DQ 12
DQ 13
CB 2
CB 3
CB 0
CB 1
/RCS2
RDQMB2
DQ 18
DQ 19
DQ 17
DQ 16
DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20
RDQMB3
DQ 27
DQ 26
DQ 25
A0 - A3, A10
BA0, BA1
A4 - A9, A11
CKE0
V
CC
/RAS
/CAS
DQ 24
DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28
★
REGE
10 kΩ
Register1
/LE
DQ 0
DQM
DQ 1
D0
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D
2
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D3
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D
4
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM /CS
DQ 1
D5
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D6
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D7
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQM
DQ 1
D8
DQ 2
DQ 3
RA0A - RA3A, RA10A
RBA0A, RBA1A
RA4A - RA9A, RA11A
/RRASA
/RCASA
RCKE0A
RCKE0B
/CS
/CS
/CS
/CS
/CS
/CS
/CS
/CS
/RAS : D0 - D3, D9 - D13
/CAS : D0 - D3, D9 - D13
CKE : D0 - D4, D9 - D12
CKE : D5 - D8, D13 - D17
RDQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
RDQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 45
DQ 44
DQ 46
DQ 47
CB 5
CB 4
CB 7
CB 6
RDQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
RDQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
A0 - A3, A10 : D0 - D3, D9 - D13
BA0, BA1
A4 - A9, A11 : D4 - D8, D14 - D17
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQM
/CS
D9
DQM
/CS
D
10
DQM
/CS
D11
DQM
/CS
D12
DQM
/CS
D
13
DQM
/CS
D14
DQM
/CS
D15
DQM
/CS
D16
DQM
/CS
D17
A0 - A3,A10
BA0, BA1
A4 - A9, A11
/RAS
/CAS
DQMB0 - DQMB7
/CS0, /CS2
/WE
CLK0
V
V
SCL
10 Ω
Register2
/LE
Register3
/LE
CC
SS
CLK1 - CLK3
RA0B - RA3B, RA10B
RBA0B, RBA1B
RA4B - RA9B, RA11B
/RRASB
/RCASB
/RCS0, /RCS2
/RWEA
/RWEB
D1 - D17
Register1, Register2, Register3,
PLL
C
D1 - D17
Register1, Register2, Register3,
PLL
SERIAL PD
A1 A2
A0
SA1 SA2
SA0
10 Ω
CLK : D0, D1, D9
PLL
RDQMB0 - RDQMB7
CLK : D2, D10, D11
CLK : D3, D4, D12
CLK : D5, D13, D14
CLK : D6, D7, D15
CLK : D8, D16, D17
CLK : Register1, Register2,Register3
/RAS : D4 - D8, D14 - D17
/CAS : D4 - D8, D14 - D17
/WE : D0 - D3, D9 - D13
CKE : D4 - D8, D14 - D17
SDA
WP
47 kΩ
12 pF
A0 - A3, A10 : D4 - D8, D14 - D17
BA0, BA1
A4 - A9, A11 : D0 - D3, D9 - D13
Remarks 1.
The value of all resistors of DQs is 10 Ω.
2.
D0 - D17:
3.
REGE ≤ V
µ
PD45128441 (8M words × 4 bits × 4 banks)
IL
: Buffer mode
REGE ≥ V IH: Register mode
4.
Register: HD74ALVCF162834
★
4
PLL: HD74CDCF2510B, IDTCSP2510C
Data Sheet M14210EJ3V0DS00
MC-4532DA727
Electrical Specifications
•All voltages are referenced to V SS (GND).
•After power up, wait more than 1 ms and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
CC
T
O
D
A
stg
–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V
50 mA
22 W
0 to 70
–55 to +125
C
°
C
°
Recommended Operating Conditions
Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T
°°°°
Capacitance (TA = 25
Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
Input capacitance C
Data input/output capaci t ance C
C, f = 1 MHz)
CC
IH
IL
A
I1
A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),
3.0 3.3 3.6 V
2.0 V
–0.3 + 0.8 V
07 0
72 0 p F
/RAS, /CAS, /WE
I2
C
CLK0 15 25
I3
C
CKE0 7 20
I4
C
/CS0, /CS2 4 10
I5
C
DQMB0 - DQMB7 4 12
I/O
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7 6 13 pF
CC +
0.3 V
C
°
Data Sheet M14210EJ3V0DS00
5