NEC MC-4532CD646EF-A10, MC-4532CD646EF-A80, MC-4532CD646PF-A10, MC-4532CD646PF-A80 Datasheet
DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4532CD646
32M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE
Description
The MC-4532CD646 is a 33,554,432 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 16 pieces of
128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• 33,554,432 words by 64 bits organization
• Clock frequency and access time from CLK
Part number /CAS latency Clock frequency
(MAX.)
MC-4532CD646EF-A80 CL = 3 125 MHz 6 ns
CL = 2 100 MHz 6 ns
MC-4532CD646EF-A10 CL = 3 100 MHz 6 ns
CL = 2 77 MHz 7 ns
★
★
MC-4532CD646PF-A80 CL = 3 125 MHz 6 ns
CL = 2 100 MHz 6 ns
MC-4532CD646PF-A10 CL = 3 100 MHz 6 ns
CL = 2 77 MHz 7 ns
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
• Pulsed interface
• Possible to assert random column address in every cycle
• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)
• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
• Programmable /CAS latency (2, 3)
• Automatic precharge and controlled precharge
• CBR (Auto) refresh and self refresh
• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply
• LVTTL compatible
• 4,096 refresh cycles/64 ms
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
• Unbuffered type
• Serial PD
Access time from CLK
(MAX.)
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Document No. M13681EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
••••
shows major revised points.
©
1998
Ordering Information
MC-4532CD646
Part number Clock frequency
MHz (MAX.)
MC-4532CD646EF-A80 125 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 16 pieces of µPD45128841G5 (Rev. E)
MC-4532CD646EF-A10 100 MHz (Socket Type) (10.16 mm (400) TSOP (II))
MC-4532CD646PF-A80 125 MHz Edge connector : Gold pl ated 16 pieces of µPD45128841G5 (Rev. P)
★
MC-4532CD646PF-A10 100 MHz 34.93 mm hei ght (10.16 mm (400) TSOP (II))
★
Package Mounted devices
2
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
Pin Configuration
★
168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
MC-4532CD646
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
SS
V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
SS
V
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
NC
NC
SS
V
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
/CS1
/RAS
SS
V
A1
A3
A5
A7
A9
(A13)
BA0
A11
Vcc
CLK1
NC
SS
V
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
SS
V
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC
SS
V
DQ53
DQ54
DQ55
SS
V
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
SS
V
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
NC
NC
V
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
A10
BA1 (A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
CKE1
V
DQ21
DQ22
DQ23
V
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
SS
SS
SS
SS
A0
A2
A4
A6
A8
SS
SS
SS
SS
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]
BA0 (A13), BA1 (A12)
: SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0, CKE1 : Clock Enable Input
/CS0 - /CS3 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
SA0 - SA2 :
Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
CC
V
SS
V
: Power Supply
: Ground
WP : Write Protect
NC : No Connection
/xxx indica tes active low signal.
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
3
Block Diagram
★
/WE
/CS0
DQMB0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQMB1
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQMB4
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQMB5
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM
DQM
DQM
DQM
MC-4532CD646
/CS1
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 2
DQ 0
DQ 1
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM
DQM
DQM
DQM
/CS
D8
/CS
D9
/CS
D12
/CS
D13
/WE
/CS
D0
/WE
/CS
D1
/WE
/CS
D4
/CS
/WE
D5
/CS2 /CS3
DQMB2
/WE
/WE
/WE
/WE
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB3
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQMB6
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQMB7
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM /CS /WE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQM /CS /WE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS /WE
D2
/CS /WE
D3
D6
D7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQM
DQM
DQM
DQM
D10
D11
D14
D15
/CS
/CS
/CS
/CS
/WE
/WE
/WE
/WE
SCL
A0 - A11
BA0, BA1
Remarks 1.
4
SERIAL PD
SDA
A1 A2
A0
SA1 SA2
SA0
A0 - A11: D0 - D15
A13, A12: D0 - D15
V
CC
V
SS
C
WP
47 kΩ
D0 - D15
D0 - D15
CLK0
3.3 pF
CLK1
3.3 pF
/RAS
/CAS
CKE0
The value of all resistors is 10 Ω except CKE1 and WP.
2.
D0 - D15:
µ
PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
CLK: D0, D1, D4, D5
CLK: D8, D9, D12, D13
/RAS: D0 - D15
/CAS: D0 - D15
CKE: D0 - D7
CLK2
CLK3
CKE1
CLK: D2, D3, D6, D7
3.3 pF
CLK: D10, D11, D14, D15
3.3 pF
10 kΩ
CKE: D8-D15
MC-4532CD646
Electrical Specifications
• All voltages are referenced to VSS (GND).
µ
• After power up, wait more than 100
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
CC
T
O
D
A
stg
–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V
50 mA
16 W
0 to +70
–55 to +125
C
°
C
°
Recommended Operating Conditions
Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T
Capacitance (TA = 25
C, f = 1 MHz)
°°°°
Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
Input capacitance CI1A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12),
Data input/output capaci t ance C
CC
IH
IL
A
/RAS, /CAS, /WE
CI2CLK0 - CLK3 24 40
CI3CKE0, CKE1 32 52
CI4/CS0 - /CS3 17 29
CI5DQMB0 - DQMB7 10 17
I/O
DQ0 - DQ63 11 19 pF
3.0 3.3 3.6 V
2.0 V
0.3 +0.8 V
−
070
CC
0.3 V
+
C
°
58 94 pF
Data Sheet M13681EJ4V0DS00
5
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