NEC MC-4516CD64PS-A10B Datasheet
DATA SHEET
★
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516CD64ES, 4516CD64PS
16 M-WORD BY 64-BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
Description
The MC-4516CD64ES and MC-4516CD64PS are 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module
(Small Outline DIMM) on which 8 pieces of 128 M SDRAM: µPD45128163 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surfacemounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• 16,777,216 words by 64 bits organization
• Clock frequency and access time from CLK
Part number /CAS latency Clock frequency (MAX.) Access time from CLK (MAX.)
MC-4516CD64ES-A10B CL = 3 100 MHz 7 ns
CL = 2 67 MHz 8 ns
MC-4516CD64PS-A10B CL = 3 100 MHz 7 ns
CL = 2 67 MHz 8 ns
• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
• Pulsed interface
• Possible to assert random column address in every cycle
• Quad internal banks controlled by BA0, BA1 (Bank Select)
• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
• Programmable /CAS latency (2, 3)
• Automatic precharge and controlled precharge
• CBR (Auto) refresh and self refresh
• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply
• LVTTL compatible
• 4,096 refresh cycles/64 ms
• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
• 144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8 mm)
• Unbuffered type
• Serial PD
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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. M13612EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
••••
shows major revised points.
©
1998
Ordering Information
★
MC-4516CD64ES, 4516CD64PS
Part number Clock frequency
MHz (MAX.)
MC-4516CD64ES-A10B 100 MHz 144-pin Small Outline DIMM 8 pieces of µPD45128163G5 (Rev. E)
(Socket Type) (10.16mm (400) TSOP (II))
MC-4516CD64PS-A10B Edge connector: Gold plated 8 pieces of µPD45128163G5 (Rev. P)
26.67 mm height (10.16mm (400) TSOP (II))
Package Mounted devices
2
Data Sheet M13612EJ5V0DS00
MC-4516CD64ES, 4516CD64PS
Pin Configuration
144-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
Vss
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
Vss
DQMB4
DQMB5
Vcc
A3
A4
A5
Vss
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
Vcc
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
Vss
NC
NC
CKE0
Vcc
/CAS
CKE1
NC
NC
CLK1
Vss
NC
NC
Vcc
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
Vss
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
Vcc
A7
BA0 (A13)
Vss
BA1 (A12)
A11
Vcc
DQMB6
DQMB7
Vss
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
Vcc
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
Vss
SCL
Vcc
Vss
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
V
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
Vss
DQMB0
DQMB1
V
A0
A1
A2
Vss
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
V
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
Vss
NC
NC
CLK0
Vcc
/RAS
/WE
/CS0
/CS1
NC
Vss
NC
NC
V
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
Vss
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
Vcc
A6
A8
Vss
A9
A10
Vcc
DQMB2
DQMB3
Vss
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
V
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
Vss
SDA
V
CC
CC
CC
CC
CC
CC
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
/xxx indicates active low signal.
A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A8]
(A13), BA1 (A12) : SDRAM Ba nk Select
BA0
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0, CLK1 : Clock Input
CKE0, CKE1 : Clock Enable Input
/CS0, /CS1 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD
CC
V
SS
V
: Power Supply
: Ground
NC : No Connection
Data Sheet M13612EJ5V0DS00
3
Block Diagram
CKE1
CKE0
/CS1
/CS0
MC-4516CD64ES, 4516CD64PS
DQMB0
DQMB1
DQMB2
DQMB3
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CS
CKE
D0
/CS CKE
D1
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
UDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
/CS
CKE
D4
/CS CKE
D5
DQMB4
DQMB5
DQMB6
DQMB7
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS
/CS
D2
D3
CKE
CKE
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
LDQM
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
/CS
/CS
CKE
D6
CKE
D7
SERIAL PD
SCL
A0 - A11 A0 - A11 : D0 - D7
BA0 A13 : D0 - D7
BA1 A12 : D0 - D7
Remark
D0 - D7:
A0 A1 A2
µ
PD45128163 (2M words x 16 bits x 4 banks)
4
SDA
CLK0
Data Sheet M13612EJ5V0DS00
V
CC
V
SS
CLK : D0, D2
CLK : D1, D3
10 Ω
/RAS /RAS : D0 - D7
/CAS /CAS : D0 - D7
/WE /WE : D0 - D7
C
CLK1
D0 - D7
D0 - D7
CLK : D4, D6
CLK : D5, D7
10 Ω
MC-4516CD64ES, 4516CD64PS
Electrical Specifications
• All voltages are referenced to VSS (GND).
• After power up, wait more than 100 µs and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
CC
T
O
D
A
stg
–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V
50 mA
8W
0 to +70
–55 to +125
C
°
C
°
Recommended Operating Conditions
Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T
Capacitance (TA = 25
Input capacitance C
Data input/output capaci t ance C
C, f = 1 MHz)
°°°°
Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
CC
IH
IL
A
I1
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12),
3.0 3.3 3.6 V
2.0 V
–0.3 + 0.8 V
070
/RAS, /CAS, /WE
I2
C
CLK0, CLK1 30
I3
C
CKE0, CKE1 30
I4
C
/CS0, /CS1 30
I5
C
DQMB0 – DQMB7 20
I/O
DQ0 - DQ63 20 pF
CC +
0.3 V
60 pF
C
°
Data Sheet M13612EJ5V0DS00
5
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