NEC MC-4516CB646EF-A80, MC-4516CB646PF-A10, MC-4516CB646PF-A80, MC-4516CB646EF-A10 Datasheet

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CB646

16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4516CB646 is a 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of
128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface­mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number /CAS latency Clock frequency Access time from CLK

(MAX.) (MAX.)

MC-4516CB646EF-A80 CL = 3 125 MHz 6 ns

CL = 2 100 MHz 6 ns

MC-4516CB646EF-A10 CL = 3 100 MHz 6 ns

CL = 2 77 MHz 7 ns

MC-4516CB646PF-A80 CL = 3 125 MHz 6 ns

★

CL = 2 100 MHz 6 ns

MC-4516CB646PF-A10 CL = 3 100 MHz 6 ns

★

CL = 2 77 MHz 7 ns

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.

Document No. M14334EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan

The mark

••••

shows major revised points.

©

1999

Ordering Information

MC-4516CB646

Part number Clock frequency

MHz (MAX.)
MC-4516CB646EF-A80 125 MHz 168-pin Dual In-line Memory Module 8 pieces of µPD45128841G5 (Rev. E)
MC-4516CB646EF-A10 100 MHz (Socket Type) (10.16 m m (400) TSOP (II))
MC-4516CB646PF-A80 125 MHz Edge connector : Gold plated 8 pieces of µPD45128841G5 (Rev. P)

★

★

MC-4516CB646PF-A10 100 MHz 34.93 mm height (10.16 mm (400) TSOP (II))

Package Mounted devices

2

Data Sheet M14334EJ2V0DS00

Pin Configuration

★

168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)

MC-4516CB646

100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124

125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168

85
86
87
88
89
90
91
92
93
94

95
96
97
98
99

SS

V
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39

DQ40
V

SS

DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
NC
NC
V

SS

NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS
V

SS

A1
A3
A5
A7
A9
BA0

(A13)
A11
Vcc

CLK1
NC
V

SS

CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V

SS

DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC
V

SS

DQ53
DQ54
DQ55

SS

V
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V

SS

CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc

DQMB0
DQMB1

BA1

DQMB2
DQMB3

V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3

Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7

DQ8

V

DQ9

DQ10
DQ11
DQ12
DQ13

Vcc

DQ14
DQ15

NC
NC
V
NC
NC

Vcc

/WE

/CS0

NC
V

A10

(A12)

Vcc

Vcc

CLK0

V
NC

/CS2

NC

Vcc

NC
NC
NC
NC

V
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19

Vcc

DQ20

NC

NC

NC

V
DQ21
DQ22
DQ23

V
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27

Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31

V

CLK2

NC

WP

SDA

SCL

Vcc

SS

SS

SS

SS

A0
A2
A4
A6
A8

SS

SS

SS

SS

SS

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40

41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84

/xxx indica tes active low signal.

A0 - A11 : Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]

BA0

(A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63 : Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3 : Clock Input
CKE0 : Clock Enable Input
/CS0, /CS2 : Chip Select Input
/RAS : Row Address Strobe
/CAS : Column Address Strobe
/WE : Write Enable
DQMB0

-

DQMB7 : DQ Mask Enable
SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM
SDA : Serial Data I/O for PD
SCL : Clock Input for PD

CC

V

SS

V

: Power Supply

: Ground
WP : Write Protect
NC : No Connection

Data Sheet M14334EJ2V0DS00

3

Block Diagram

/WE

/CS0

DQMB0

DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

MC-4516CB646

/CS2

DQMB2

/WE

/CS

D0

DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23

DQMD2/CS /WE

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQMB1

DQ 8

DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15

DQMB4

DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39

DQMB5

DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

/CS

D1

DQM /CS

D4

DQM

/CS

D5

/WE

/WE

/WE

DQMB3

DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31

DQMB6

DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55

DQMB7

DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63

DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0

DQM

DQM

DQM

/WE

/CS

D3

/WE

/CS

D6

/CS

/WE

D7

Remarks 1.

4

CLK0

CLK2

CLK1, CLK3

V

V

CC

SS

CLK : D0, D1, D4, D5

3.3 pF

CLK : D2, D3, D6, D7

3.3 pF

10 pF

D0 - D7

C

D0 - D7

The value of all resistors is 10 Ω except WP.

2.

D0 - D7:

µ

PD45128841 (4M words × 8 bits × 4 banks)

Data Sheet M14334EJ2V0DS00

A0 - A11

SCL

BA0

BA1

/RAS

/CAS

CKE0

SERIAL PD

A0

SA1 SA2

SA0

A1 A2

A0 - A11 : D0 - D7

A13 : D0 - D7

A12 : D0 - D7
/RAS : D0 - D7

/CAS : D0 - D7

CKE : D0 - D7

SDA
WP

47 kΩ

MC-4516CB646

Electrical Specifications

• All voltages are referenced to VSS (GND).

µ

• After power up, wait more than 100

device operation is achieved.

Absolute Maximum Ratings

Parameter Symbol Condition Rating Unit
Voltage on power supply pin relative to GND V
Voltage on input pin relative to GND V
Short circuit output c urrent I
Power dissipation P
Operating ambient tem perature T
Storage temperature T

Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause

permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.

s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper

CC

T

O

D

A

stg

–0.5 to +4.6 V
–0.5 to +4.6 V

50 mA

8W

0 to +70

–55 to +125

C

°

C

°

Recommended Operating Conditions

Parameter Symbol Condition MIN. TYP. MAX. Unit
Supply voltage V
High level input voltage V
Low level input voltage V
Operating ambient tem perature T

Capacitance (TA = 25

C, f = 1 MHz)

°°°°

Parameter Symbol Test condition MIN. TYP. MAX. Unit
Input capacitance C

Data input/output capaci t ance C

CC

IH

IL

A

I1

I2

C

I3

C

I4

C

I5

C

I/O

3.0 3.3 3.6 V

2.0 VCC + 0.3 V

0.3 +0.8 V

−

A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12), /RAS,

070

38 62 pF

°

/CAS, /WE
CLK0, CLK2 24 40
CKE0 32 52
/CS0, /CS2 17 29
DQMB0 - DQMB7 7 13
DQ0 - DQ63 7 13 pF

C

Data Sheet M14334EJ2V0DS00

5